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圖1：三維交叉式ReRAM的構造

圖2：存儲器單元部分的TEM照片

　　由新加坡南洋理工大學（Nanyang Technological University）、北京大學、新加坡科技研究局（A*STAR）、新加坡國立大學（National University of Singapore）、新加坡GLOBALFOUNDRIES組成的聯合研發小組開發出了高性能的單極型ReRAM，並在“2011 Symposium on VLSI Technnology”上進行了發布（演講編號：3B-1）。新產品採用Ni電極/HFOx/AlOy/p+－Si作為存儲器單元構造，與面向三維交叉式ReRAM的Si二極管選擇器具有兼容性。估計這個研發小組正在探索如何用新型ReRAM替代NAND閃存。

　　此次開發的ReRAM有七大特點。第一，電阻值的導通/截止比高達105。第二，基於150mm晶圓的元件成品率達到了100％。第三，切換參數在循環與元件間的均勻性較高。第四，可擦寫次數（AC）超過106次。第五，高溫下的數據保存時間在120℃時超過105秒，而且在高溫（超過200℃）下具有出色的工作穩定性。第六，設置時間（Set Time）為10ns、復位時間（Reset Time）為30ns，可高速運轉。第七，下部電極可利用p+－Si，材料和工藝與CMOS完全兼容。無需使用Pt等貴金屬。

　　值得注意的是，此次發布是由以新加坡為核心組建的研究小組進行的。新加坡為全球性硬盤（HDD）生產基地，正在舉國大力推進數據中心的研究。此次發布表明，新加坡已經將觸角伸到了瞄准後NAND閃存的ReRAM開發領域。