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行動產品最重要的是續​​航力，而電池容量又受到體積限制，因此省電乃首要條件。隨著技術與製程的演進，Mobile RAM的電壓自3.3V，降至2.5V、1.8V，目前更進一步降至1.2V，比標準型DDR3的電壓(1.35V~1.5V)還低。

智慧型手機與平板電腦強調多媒體應用的表現，為提昇運作效能，Mobile RAM已導入DDR介面，其主流規格也自Mobile SDR，提升至Mobile DDR。目前Mobile DDR2則是全球記憶體廠商的重點開發產品，其寬度也從x16，x32提升至x64，以強化整體處理速率，現今其運作頻率已達1066MHz，並持續向上突破中。

此外，高品質的影音串流與處理需要足夠容量的DRAM，因此高容量也是Mobile RAM上很重要的趨勢。2011年許多新款智慧型手機搭載1GB DRAM，因此DRAM廠商紛紛推出更高容量的Mobile RAM。其中三星電子(Samsung Electronics)已於3月宣布，以30奈米製程量產4Gb Mobile DDR2產品，並藉由2層堆疊的方式，試產8Gb mobile DDR2。

新款智慧型手機不但效能更強大，其外型更是輕薄。以iPhone為例，iPhone 3GS的厚度為12.3毫米，而iPhone 4厚度縮減近4分之1，終端產品的尺寸當然取決於內部零組件同步的調整。就記憶體而言，容量加大，而體積要縮小，除了晶圓製程的微縮外，封裝製程與型態亦為關鍵。