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海力士開發的ReRAM的TEM截面圖與工藝流程

　　韓國海力士半導體公司採用54nm工藝技術開發出了256Kbit ReRAM，並公佈了擦寫動作等驗證結果（演講序號：3B-3）。據該公司介紹，通過在存儲元件的可變電阻膜（TiO2）與金屬電極之間插入較薄的Al2O3層，提高了擦寫速度及數據存儲特性。擦寫時間僅為10ns，即便在150℃高溫下擱置100小時也可保持良好的數據存儲特性。

　　海力士表示，通過在存儲元件中插入Al2O3層，可使擦寫時發生電阻變化的體積縮小，從而實現高速而穩定的擦寫。這利用了Al2O3層中形成絲狀（Filament）導電通路的特性。而且，Al2O3層還可作為流過存儲元件的電流的隧道結髮揮作用，從而使整定電流降低到了20μA。

　　海力士在演講中表示，“目前正瞄準DRAM及NAND閃存的替代用途推進ReRAM的開發”。此次的ReRAM使用1T1R型存儲元件，採用與DRAM相似的工藝技術製造而成。可擴展性方面，此次使用TiO2類可變電阻膜的存儲元件“有望實現10nm工藝以後的微細化”（海力士演講者）。