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上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash製程，並將於2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市佔王三星。外電報導，三星將搶先於今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。

SSD（近年來製程技術演進，成本價格逐漸逼近硬碟（Hard disk），因此滲透率大增，各大廠陸續將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash（儲存型快閃記憶體），大搶市佔率，除了比市佔更還要比技術。

東芝及西部數據於日前同時發布新聞稿宣布，已領先全球研發出堆疊64 層的3D Flash 製程技術，正式開始向客戶送樣，預計將通過本月7月完工的日本四日市工廠“新第2 廠房”量產，量產時間都預計為2017年上半年。

當時市場都解讀NAND Flash龍頭三星，因64層堆疊技術尚未有產出消息，因此認為將被東芝及西部數據超車，但根據韓國媒體《Electronics Weekly》報導，三星表示，預計將於今年底前量產4G V-NAND及18納米製程的DRAM，目前進展順利。