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台灣索尼股份有限公司即將推出Sony全新的Micro Vault麥克碟Click系列隨身儲存配備，除了外型酷炫且能確保資料儲存安全，還能編輯影音、提供更多影像觀賞與分享樂趣!時尚流線的【USM-P】外觀採用亮面光滑的材質，其按壓式的USB接頭使用簡便且隨插即用效率高；而體積只有一般隨身碟的一半的【USM-M】，推出全新的果綠色以及32GB大容量，不僅更容易攜帶且使用時也不佔空間。兩款新品皆配備LED燈，能夠隨時檢視隨身碟的存取狀態，使用者還可以上網免費下載Sony獨家應用軟體，包括可以復原不慎刪除影音格式檔案註的File Rescue檔案救援軟體，以及方便編輯相片播放特效與背景音樂的X-pict Story軟體，讓影像儲存更有保障，並且增添影像編輯與分享的樂趣。

目前業者正在並行開發幾種分別基於【液浸式光刻技術】和【EUV光刻技術的垂直型晶體管結構NAND閃存技術】

根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，全球DRAM產業於第二季度營收總計為約81億美元，雖然記憶體平均銷售價格(Average Selling Price)受到日本地震所帶來的缺貨預期因素而有微幅回升，但受到茂德投片減少以及力晶轉進非DRAM產品增加的影響，總營收與上季相比呈現1.9%的小幅衰退。

日本東芝公司正大推出了新系列24nmeMMC閃存芯片。新的NAND閃存芯片主要面向的是嵌入式應用，由於使用了雙數據接口，因此將可以帶來更加出色的隨機存取和連續數據存取性能。由於使用的是全新的24nm工藝，因此新芯片體積將變得更小，同時價格也得到了明顯下降。

小型硬碟機廠商台灣東芝數位資訊股份有限公司，針對消費性電子產品發表首款雙碟片2.5吋1TB硬碟，單碟儲存容量高達500GB，硬碟厚度卻僅有9.5mm，同時提升硬碟的磁錄密度至每平方英吋744Gb，比起前一代2.5吋硬碟增加37%以上。MQ01ABDxxx 系列容量涵蓋250GB至1TB，提供經常存取大量資料的使用者高容量、高效能以及節約能源的優質水準。

全球第3大DRAM廠爾必達(Elpida)1日發布新聞稿宣布，該公司於今年5月所研發出的全球首款採用最先端25nm製程技術的2Gb DDR3 SDRAM產品(產品名稱為EDJ2104BFBG／EDJ2108BFBG)已於7月底開始進行樣品出貨。

爾必達曾於5月2日宣布，將於今年7月開始量產上述25nm 2Gb產品，且併計劃於今年年底將量產對象擴增至4Gb DDR3 SDRAM產品，之後也計劃將該25nm製程技術應用於Mobile RAM上。

亞馬遜提供了  金士頓SSDNow V系列256GB串行ATA 3Gbp / s的2.5“內部固態硬盤  （SSD），型號。SV100S2/256GZ，為299.99美元。20元的郵寄退稅削減到  279.99美元。隨著  免費送貨，這$ 1.09/GB，而最低的總價格，我們可以找到128美元。（這也是最優惠的價格，我們已經看到了一個SSD這個大小，因為黑色星期五）7月31日到期回贈。評論這裡和這裡。

低功耗鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈，該公司最新鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 產品的樣片現已在IBM的新生產線生產。此一新產品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以匯流排速率運行且無寫入延遲，並支援高達1萬億次 (1e12)的讀/寫週期，這比相同等級的EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 µA (在100 kHz下)，典型待機電流僅為4 µA。這款F-RAM器件是64-Kb EEPROM產品的直接硬體替代產品，適用於需要頻繁或快速寫入的非揮發性記憶體應用。

個人電腦(PC)銷售量不如預期，又遇上平板電腦擠壓市場，導致2011年DRAM報價持續下跌，目前已瀕臨變動成本邊緣，過去3年1次循環的記憶體景氣，現在景氣循環的時間週期大幅縮小，加上製程技術進展快速，台系DRAM廠落後國際大廠約1.5~2個技術世代，統計過去10年投資DRAM產業的業者中，其實真正有賺錢的只有三星電子(Samsung Electronics)，未來三星市佔率邁入大者恆大的趨勢仍無法檔。

全球硬碟機供應商希捷科技宣佈開始為通路供應Pulsar XT.2固態硬碟(SSD)，因應企業儲存環境可能產生的嚴苛要求，該產品具備傑出且一致的資料完整性和硬碟機耐用性。除此之外，第一台由企業硬碟機製造商所開發的多階儲存單元(Multi-Level Cell, MLC)快閃記憶體SSD—Pulsar.2™ SSD，希捷科技也將按照既定時程於7月29日供應給通路夥伴。

三星電子(Samsung Electronics)克服在次世代半導體電阻式非揮發性記憶體(RRAM)商用化過程中遭遇的困難，成功開發出電流控制技術。該技術開發完成後，將可刻劃出5~10年內智慧型手機(Smartphone)等產品的微細化，或是開發可穿著的電腦等未來新產品藍圖。

NAND Flash大廠東芝(Toshiba)與快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)合資的新12吋晶圓廠Fab 5日前宣布投產，預計第1批24奈米製程晶片將於8月正式出貨，未來將轉進19奈米製程；而三星電子(Samsung Electronics)新廠Line 16也將於9月正式投產，預計以NAND Flash晶片為主。以2011年第1季全球市佔率來看，三星與東芝之間市佔差距僅0.3個百分點，幾乎在伯仲之間，即使傳出智慧型手機和平板電腦需求不如預期，但雙方在新廠上的擴產，恐見不到休兵之日。

目前各DRAM廠雖無積極擴產，不過在加速製程轉換下，使得產出量大為提升，而隨著2Gb價格來到現金成本，大部分DRAM廠財務狀況與現金水位都尚未回復至金融風暴前的水準，以及下半年PC記憶體搭載未顯著提昇、加上全球經濟衰退疑慮下，集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange指出，全球DRAM廠啟動減產機制的可能性將大增。

全球第一大獨立記憶體模組製造商金士頓科技公司（Kingston），宣布旗下2133MHz HyperX 4GB SO-DIMM記憶體模組率先通過Intel Extreme Memory Profile（XMP）認證，是筆記型電腦專用記憶體模組產品中，最先獲得Intel XMP認證、且速度最快的產品。

小型硬碟機廠商─台灣東芝數位資訊股份有限公司，宣佈Toshiba Ome營運總部兩座全新的硬碟技術中心將於7月16日隆重開幕。這兩座全新的硬碟技術中心─「硬碟先行技術中心」與「硬碟製造技術中心」，分別與專精磁頭製造的TDK與擅長磁碟媒體製作的昭和電工 (Showa Denko K.K.) 技術合作，加速高密度儲存技術的發展。