繼 NeoBit 矽智財(SIP)展現強大量產動能，力旺電子(eMemory Technology)宣佈 NeoFuse SIP已跨越量產門檻，量產規模持續累積中。目前， NeoFuse 技術已建置在全球超過20項製程平台上，並順利協助力旺客戶的影像感測晶片(CIS)及顯示器驅動晶片(DDI)應用產品進入規模量產階段，逐步提高對營收的貢獻。
NeoFuse SIP 可廣為使用在智慧型手機、行動裝置、穿戴式裝置以及物聯網、智慧家庭、醫療電子等熱門應用領域，並強化力旺電子在 CIS 、藍牙晶片、STB晶片與無線通訊晶片等領域的滲透與佈局，擴張力旺電子產品線量產效益。
NeoFuse 技術已佈局於0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等製程世代，並於55奈米高壓及低功耗、40奈米低功耗、28奈米高介電常數金屬閘極(HKMG)及 CIS 製程平台完成驗證。各製程世代的 NeoFuse 技術正快速導入於多家國際級晶圓代工廠，並且已有多家客戶採用 NeoFuse SIP 於影像感測晶片、顯示器驅動晶片、 STB 晶片等產品設計定案(tape-out)當中，量產效益值得期待。在NeoFuse技術各製程世代陸續增添量產動能之時，力旺電子更持續展開 FinFET 等製程技術之開發計畫，以積極掌握產業之發展趨勢。
力旺電子嵌入式非揮發性記憶體 SIP 解決方案具備完整的產品線與製程平台佈局，能夠滿足各種應用領域的需求。客戶量產晶圓片數多年來連續呈現2位數成長，繼2013年初達到5百萬片後，其多元產品線 SIP 之累計客戶量產晶圓持續呈現快速成長趨勢，2013年單一年度更以超過33%的成長率累計突破8百萬片。該成長主要受惠於電源管理晶片(PMIC)、DDI、MCU、MEMS、觸控晶片(TPC)、RFIC等應用領域之發展。
力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體技術佈局涵蓋0.5微米至28奈米之邏輯、高壓、矽鍺、無線射頻、及混合訊號等製程平台。
力旺電子開發的 SIP 已成功導入全球超過2,400項新產品設計授權案(design license)，廣泛應用於智慧型手機、行動裝置等主流消費性電子產品中，從成熟量產至先進製程均具備最適解決方案之條件，是晶圓代工廠及應用端客戶對於嵌入式非揮發性記憶體 SIP 的最佳選擇。
資料來源:電子工程專輯
留言列表
生技醫療產業 (1)