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日經新聞報導，3D記憶體晶片將是全球半導體市場的新戰場。在開發新一代3D記憶體晶片與推進商品化上，全球前二大NAND快閃記憶體廠－日本東芝與南韓三星電子，彼此之間正展開一場激烈的生死鬥。

據報導，東芝計畫在2019財年生產容量高達1TB（terabyte）的NAND快閃記憶體晶片，是目前NAND晶片容量的16倍之大。

3D記憶體晶片內部層數越多，記憶體容量就越大。目前東芝與三星均未透露自家開發中的3D記憶體晶片能容納多少層數。產業消息來源透露，去年兩家公司的3D晶片內部層數已達到24層，今年可望進一步開發32層的3D記憶體晶片。

東芝主管表示，目前在這個階段尚無法量產3D記憶體晶片，因為採用尖端技術的傳統型2D記憶體晶片，仍較具生產成本競爭力。不過，一旦3D記憶體晶片內部層數達到48層這個技術門檻，那情勢將完全逆轉，記憶體晶片世代將正式從2D進入3D，而這個改變可能提前到來。

產業專家表示，東芝與三星均計畫在2015年開發出48層的3D晶片，兩家公司現正彼此較勁，希望趕在對方之前推出真正的新一代記憶體晶片。

只要跨過48層的技術門檻，東芝與三星就可能投入3D晶片的量產；而誰能最先達到目標，誰就能搶占在3D晶片市場取得領先優勢的先機。

資料來源:時報資訊