全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大於需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。
市調機構IHS iSuppli最新報告預測，NAND Flash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠低於去年的0.71美元，預估2018年將進一步跌至0.14美元，其間年復合成長率為負的28 %。
NAND Flash產出過多是導致價格崩跌的主因，若以1 GB等量單位計算，IHS iSuppl估計，2018年NAND Flash產出將自2013年的355億單位成長成長5.7倍至2,036億單位，預料將掀起價格戰。
據南韓聯合通訊社(Yonhap)報導，三星斥資70億美元在大陸西安設置的V-NAND Flash廠已在5月開始投產，至於在後追趕的東芝(Toshiba)最近也宣布了60億美元V-NAND Flash的擴廠計劃。
NAND flash市佔率來看，三星以37.4%居全球之首，東芝、美光與海力士(SK Hynix)依序分別為31.9%、20.1%與10.6%。
Source:IHS iSuppli
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