三星電子（Samsung Electronics Co.）6 日舉行南韓平澤（Pyeongtaek）Godeok 工業園區新半導體廠建廠備忘錄（MOU）簽約儀式。三星表示，京畿道省以及相關市政府代表同意提供必要的基礎設施並就新廠的建設、營運相關事宜與三星密切合作。
三星電子執行長兼副董事長權五鉉（Kwon Oh-hyun）在出席 MOU 簽約儀式時表示，三星衷心感謝京畿道、平澤市的全力支持。耗資 15.6 兆韓圜、建築面積達 79 萬平方米的平澤廠將在 2015 年上半年動工、預計 2017 年下半年即可開始營運。
彭博社報導，平澤廠將生產記憶體、處理器晶片，總投資金額相當於 150 億美元。三星電子預計在 7 日公佈 2014 年第 3 季初估財報。
Thomson Reuters 6 日報導，三星表示，平澤廠預估將使公司整體晶片產能增加 10-12%。42 位分析師普遍預期三星電子 2014 年第 3 季營益將達 5.6 兆韓圜、創 2011 年第 4 季以來新低。
韓聯社報導，平澤位於首爾南方約 70 公里處，與器興（Giheung）、華城（Hwaseong）同樣位於京畿道。三星電子表示，平澤廠一旦完工，全球最尖端的半導體集群也將就此誕生。三星 2013 年半導體投資金額達 12.6 兆韓圜。除了南韓廠以外，三星在美國德州以及中國也擁有半導體廠。
根據 IHS Technology 8 月公佈的統計數據，三星電子第 2 季系統半導體銷售額季減 9.6% 至 23 億美元、市佔率下滑 0.7 個百分點至 3.9%。另一方面，英特爾（Intel Corp.）銷售額季增 8.8% 至 118 億美元、市佔率擴增至 20%。高通（Qualcomm Inc.）銷售額季增 16.8%、市佔率上揚 0.7 個百分點至 8.3%。德州儀器銷售額季增 10.6%、市佔率達 5%。權五鉉 4 月曾對員工表示，三星必須在系統 LSI 領域（特別是高階應用處理器）多加把勁，如此才能在客戶面前建立起半導體領導廠商的形象。
三星電子 5 月 9 日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進 NAND 型快閃記憶體「3D V-NAND」將在該廠投產。
以色列財政經濟部 9 月 22 日批准英特爾（Intel Corp.）今年 5 月所提出的 60 億美元晶圓廠技術升級投資案。報導指出，英特爾將在未來 5 年內取得 3 億美元的政府補助並且在 10 年內享有 5% 的企業優惠稅率。英特爾位於以色列南部 Kiryat Gat 的晶圓廠目前已僱用 2,500 人、預估到 2023 年將再增聘將近 1 千人。
三星電子今年迄今股價跌幅超過 16%，截至台北時間 6 日上午 10 時 10 分為止上漲 0.26%、報 1,144,000 韓圜；開盤迄今最低點（1,138,000 韓圜）創 2012 年 7 月 18 日以來新低。
國際半導體設備材料協會（SEMI）9 月 18 日公佈，2014 年 8 月北美半導體設備製造商接單出貨比（Book-to-Bill ratio）初估為 1.04、連續第 11 個月維持在 1 或更高水準，創 2009 年 7 月至 2010 年 9 月（連續 15 個月）以來最長連續紀錄。
（MoneyDJ新聞 記者 賴宏昌 報導）
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