NAND Flash由平面2D製程走向3D製程的軍備競賽，隨著三星10月9日正式宣布量產32奈米32層的128Gb 3D V-NAND晶片後，正式揭開序幕，包括東芝／新帝、SK海力士、美光／英特爾等均將在2015年開始投產3D NAND。業者指出，3D NAND單顆晶片容量快速拉高且價格便宜，明年NAND Flash價格跌勢難止。
NAND Flash廠今年進入1ynm世代後，製程微縮難度更大，不斷墊高成本，由於2D NAND的可量產製程微縮到12奈米後就會遇到物理瓶頸，為了降低生產成本及擴大單顆晶片容量，包括三星、東芝／新帝、SK海力士、美光／英特爾等四大陣營，均開始著手布局3D NAND技術及產能，2015年將是3D NAND市場起飛元年。
雖然3D NAND的量產難度高，且穩定性也不易掌握，但在三星成功量產32奈米3D NAND之後，顯然3D NAND已經達到可量產階段。三星在10月9日宣布採用32奈米推疊32層的128Gb 3D V-NAND進入量產，且明年製程微縮至24奈米並拉高堆疊36層，單顆V-NAND晶片容量理論值可上看1Tb（約1024Gb），不僅可望推動固態硬碟（SSD）取代傳統硬碟速度加快，NAND Flash價格會有更明顯的下跌。
三星還宣布，此次推出32層TLC規格V-NAND，可以大幅提高生產效率，特別是與10奈米TLC規格2D NAND相較，新的V-NAND可以讓現有產能增加一倍。業者指出，三星此舉等於宣告3D NAND的世代已經到來，競爭同業勢必會在明年全面搶進3D NAND市場。
東芝已經開始著手進行3D NAND技術研發及產能擴建，Fab5第2期將在明年開始投產，採用自行開發的管道成形位元可變成本（P-BiCS）技術，預估明年下半年將進入量產階段。美光在今年第2季就已經開始對客戶進行3D NAND送樣，但還未決定真正量產時間，不過設備業者預估應在明年中旬。SK海力士則利用微調重直堆疊陣列電晶體（VSAT）技術來生產，並指出明年就會進入量產階段。
模組業者指出，2015年仍會以2D NAND為主流，但3D NAND將在明年成為兵家必爭之地，2016年就會是3D NAND產能大量開出的一年。由於3D NAND理論上可以用32/24奈米生產出1Tb的高容量NAND晶片，將直接改變NAND Flash市場的價格結構，每1Gb平均價格將由2D NAND時代的0.3～0.5美元，3D NAND時代直接降至0.1美元，代表未來幾年NAND Flash市場將會是價格快速走跌的紅海市場。
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