在20號下午的投資者網絡會議上，英特爾透露其將在明年下半年提供基於3D NAND的SSD產品，技術則是來自該公司與鎂光(Micron)在閃存合資企業。據悉，其能夠在單個MLC核心“平面”(2D)上堆疊32層、共計256Gb(32GB)的容量。如果採用3-bit(TLC)方案，那麼每單元的容量還可以進一步提升至384Gb(48GB)。
英特爾非易失性存儲事業部總經理兼高級副總裁Rob Crooke表示：3D NAND有望在接下來的幾年時間裡催生10TB級別的SSD產品，甚至封裝厚度只有2mm的1TB存儲(非常適合移動設備) 。
Crooke指出，3D技術的最大特色是可以在成本上有重大突破，不過英特爾可能不會親自製造3D NAND——即使該公司又能力，但也只會在覺得有意義的時候才會自行生產。
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