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以美光公司(Micron)為主導的混合記憶體聯盟(HMCC)近日針對垂直記憶體堆疊發佈定義邏輯層介面的1.0版新規格，可望實現高達320GB/s的最大資料傳輸速率。此外，該聯盟將可專注於採用矽穿孔(TSV)技術的更高速版動態隨機存取記憶體(DRAM)模組堆疊。
在下一代規格中，HMCC計劃提高 DDR3 模組間的數據傳輸速率，從目前的10Gb/s、12.5Gb/s和15Gb/s提高到28Gb/s。晶片間傳輸率也將從現有的10Gb/s提高到15Gb/s，該新規格預計將於2014年第一季完成。

這種新的高性能記憶體將取代平面晶片架構，改採 3D 堆疊技術。美光科技先前曾表示將在六月前發表2 GB和4 GB版記憶體堆疊，此外還有8GB版規格。在八條鏈路鏈接時，可望使最大讀寫速度達到160GB/s的雙向頻寬(總頻寬達320GB/s)。此外，其功耗也較傳統記憶體降低約70%，更適合行動設備應用。

HMCC成員超過100家以上的公司，其中還包括美光科技的競爭對手──三星(Samsung)和海力士(SK Hynix)，以及其潛在客戶，如AMD、Cray、富士通(Fujutsu)、IBM、Marvell、意法半導體(ST)和賽靈思(Xilinx)。

去年，Nvidia公司表示，儘管該公司正邁向3D晶片發展道路，但並不打算採用具邏輯層的記憶體模組。截至目前為止，美光科技仍堅持必須採用邏輯介面以實現其目標的數據傳輸速率與頻寬。「邏輯介面並確保在該領域的彈性與修復能力，」HMCC發言人表示。

該新規格已獲得全球前三大記憶體製造商的支持。「在我們和主導記憶體公司以及業界許多其它廠商之間的共識，將有助於大力推動這項具發展前景的技術，」三星半導體記憶體策劃與產品行銷副總裁Jim Elliott表示。

「HMC為可大幅提升性能與效率的記憶體帶來全新性能水平，並將重新定義記憶體的未來發展，」海力士公司DRAM產品規劃與建置部門副總裁JH Oh表示。

「這項業界協議將有助於推動以最快速度落實HMC技術採用，並將為電腦系統與消費應用帶來重大改善，」美光科技DRAM行銷副總裁Robert Feurle強調。

編譯：Susan Hong

(參考原文：Micron, Samsung, Hynix agree to 3-D memory spec，by Rick Merritt)