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2016 的 SSD 技術即將迎來重大變化。

先前 Toshiba 與 Sandisk 公開了技術合作的 48 層 BiCS 3D NAND Flash 設計，隨後另一組有著深厚合作關係的人馬 Intel 與 Micron 也透漏了自家的 3D NAND 設計的更多資料。

其實去年底 Intel 就已經粗淺的透露了一部分的參數，包含了會具有 32 層堆疊、可提供 MLC 顆粒 256Gb（32GB）、TLC 384Gb（48GB）的容量等，現在他們透露了更多。

首先，新的 NAND Flash 的設計上將會具有 4 個 Plane，Plane 是整個 NAND Flash 體系中第二大的單位，僅次於 die；再下去則是我們所知道的 Block 與 Page 這些更基本的單位，設計 Plane 的用意是用來對 Block 進行劃分，相異的 Plane 是可以同時進行動作的，若少了 Plane 設計，在 Die 內就一次就只能對一個 Page 進行讀寫而降低性能，而 Intel-Micron 使用了 4 planes 設計可以有效地增加吞吐量。

在耐久性的部分，Intel 與 Micron 公開資料顯示，電荷的數量將可以回到過去平面式設計在 50 nm 左右的等級，而電荷的數量會將會影響儲存單元的判斷精確度以及控制難度，這也是為何在平面式 NAND FLASH 舊制程產品的 P/E Cycle 較高的因素。不過 Micron 方面，目前只承認會有 3,000 P/E 的表現，但 Micron 在消費級 NAND FLASH 已經維持這個數據長達數年，因此有可能只是 Micron 提供保守估計，實際上的表現可能可以來到 10,000 P/E Cycle 以上。

另外比較特別的是，Intel-Micron 的設計還是使用了傳統的 Floating Gate，而不是 Samsung、Toshiba 所使用的 Charge Trap。他們表示，Floating Gate 的設計已經存在悠久，比起相對新的 CTF 特性更能能被很好的掌握，換句話說則是以 Intel-Micron 對 Floating Gate 技術的深入了解，做起來比較省錢。當然比起 CTF 技術可能有著更低的漏電流等好處可能也在考慮範圍之內。

上市時程方面，目前 256 Gbit 的 MLC 樣品，已經出貨給特定的合作夥伴，預計今年的下半年度就可以進入量產。因此我們也許可以在明年就可以看到使用 Intel 與 Micron 3D NAND Flash 的 SSD 產品出現在商店貨架上。

• Intel-Micron Share Additional Details of Their 3D NAND

（本文由 VR-Zone 授權轉載）