1. 在3D IC封裝裡，任何組成材料的改變都會對IC效能造成巨大的改變。在封裝過程中，你如何控制在銅柱上的銀與錫？未來的電鍍液會有哪些新的要求？
回答：在化學特性中，材料成份的改變的確會影響封裝後的效能。因此，SOLDERON™ BP TS 6000 Tin-Silver 化學配方不會影響重要的效能特性，包括非常均勻的銀組成，即使在非常不同的電鍍速率下所沉積的銲點凸塊。這歸功陶氏化學專門為錫銀電鍍液研發的專利添加物。
我們相信，能微調並可控制的陶氏化學最新的錫銀電鍍液將可以滿足許多未來電鍍的需求。
2. 成本是採納3D IC的關鍵因素。陶氏化學的SOLDERON™ BP TS 6000如何幫助降低處理成本？與上一代的電鍍液相比，能降低多少成本呢？
回答：SOLDERON BP TS 6000 Tin-Silver能在兩方面降低3D封裝的製造成本（CoO）。其一是此化學配方的多重適用性。SOLDERON BP TS 6000 Tin-Silver適用於從「in-via」至「mushroom cap bump」，從C4凸塊至銅柱與微銅柱，以及從邏輯IC與記憶體IC。在相同的堆疊結構中，TS 6000能在封裝中不同的部分呈現不同的效果。在相同的濃度與成分下，只需調整製程參數，便可以達到想要的電鍍結果。此產品真的能「一體適用。」
其二，該產品可以用於高速電鍍。高速電鍍能提高晶圓產出量，進而降低整體製造成本。較高的晶圓產出量為顧客帶來更多價值。我們相信這是讓顧客選擇本公司產品的關鍵差異。陶氏化學了解對亞洲的顧客而言，本土化非常重要。因此，陶氏化學一直在提升TS 6000在亞洲的產能。
3. 若錫銀凸塊、銅柱帽、以及銅柱與錫銀凸塊介面存在孔洞，會有什麼後果呢？電鍍液須具備哪些特性才能達到無孔洞界面的電鍍呢?另外，為了讓接合處無空焊產生，銅凸塊應限制在何種尺寸？
回答：一般而言，焊接凸塊的孔洞會造成電流擁擠效應，進而導致過早發生故障。然而，錫銀凸塊與銅柱帽上的孔洞是否會造成影響，事實上會依每一位顧客特定的結構設計與效能而定。因此，我們不可能將一般性的原則套用在各式各樣的凸塊與銅柱帽上。新發售的SOLDERON™ BP TS 6000 SnAg電鍍液在許多類別的應用與設計上都能避免孔洞的產生。同時，SOLDERON BP TS 6000 Tin-Silver的可微調特性，能為所有設計需求提供最佳的介面。
4. TSV技術是否能應用在450mm的晶圓上？
回答：TSV要應用在450mm的晶圓上毫無困難。TSV技術是成熟發展的技術，多數的半導體製造商都已俱備該技術。但居高不下的成本，使得TSV技術尚未被大量應用。另一方面，450mm晶圓技術在技術與經濟層面上仍有相當大的困難。如果450mm技術進步並順利推出，且TSV的成本變得較為合理，TSV技術將可應用至450mm晶圓。
5. 如今， 銅填充的TSV面臨哪些挑戰？
回答：銅填充的TSV的主要挑戰，是如何提高電鍍速度下，但卻又無孔洞與瑕疵。減少電鍍時間不但可降低成本，而且是提高TSV銅採用率的關鍵要素。可是，增加電鍍速度會導致「夾斷」（pinch-off）的孔洞。為了快速的向上填孔，銅電鍍液的添加物必須能極化TSV孔外的表面區域。另外，銅電鍍液的添加物也必須將TSV孔內去極化。陶氏化學所合成的銅電鍍液添加物能為極化/去極化間找到最佳平衡。
6. 對2.5D與3D IC堆疊封裝而言，晶圓薄化與新材料的應用是目前面對的最大挑戰，陶氏化學要如何解決這些問題呢？陶氏化學有任何相應的新產品嗎？
回答：對2.5D與3D IC堆疊而言，處理晶圓薄化，通常會薄到只有50um，是其中一項最大的挑戰。在進行背面後續製程之前，這些薄化的晶圓會暫時接合至一片載具晶圓，然後在背面製程處理之後才會再將其分開。
陶氏化學與業界夥伴一同在陶氏化學的苯環丁烯樹脂技術基礎上合作，在晶圓暫時接合材料研發上有重大的進展。此材料作為永久性接合黏著劑已發展成熟並且重新調整配方成適用於晶圓薄化與背面整合處理。該材料俱備優越的溫度穩定性、可微調的能量釋放與薄膜厚度、以及較低的總厚度變異（TTV）不論是應用在低地勢表面、銅柱、C4凸塊、甚至是微距TSV應用。同時製程簡單而且能提高產量。
資料來源:半導體科技
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