全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示,由於智慧型手機、平板電腦等行動裝置需求穩健成長,固態硬碟(SSD)在筆記型電腦以及伺服器與資料中心的需求增加,而物聯網應用也將逐漸導入 NAND Flash ,預估 2015年 NAND Flash 整體產業規模將提升至266億美元,年成長9%。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,估計 2014年 NAND Flash 需求位元成長率為36%,在更多元化的產品開始導入NAND Flash的挹注下,2015年的需求位元成長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重點為:

1. 隨著智慧型手機與平板電腦逐漸進入成熟期,出貨動能趨緩,固態硬碟的應用將成為下一波成長動能。現階段SSD滲透率在性能與效率要求較高的商務用筆記型電腦與高階消費型機種的應用較廣,2015年可望向下擴大至中階主流機種與低階產品線;而企業型固態硬碟的應用則是隨著雲端運算的高度成長而呈現欣欣向榮的局面。DRAMeXchange預估2015年固態硬碟的NAND Flash用量年成長將逼近80%,至於在NAND Flash的消耗量佔據比例也將從2014年的25%提升至2015年的35%。

2. 蘋果(Apple)即將推出的 iWatch 會以NAND Flash作為主要儲存裝置,可望帶動其他廠商的仿效與跟進,目前三星(Samsung)與海力士(Hynix)也分別推出 eMCP 和處理器封裝的POP方式給穿戴式裝置廠商測試,希望能有效提升 NAND Flash 在穿戴性裝置的應用;而 NAND Flash 廠商積極地與物聯網各個生態圈的業者串連合作,除了在性能與價格上取得領先,容量的優勢也能夠提供業者在設計多元化內容存取,讓NAND Flash將成為相關智慧裝置的儲存裝置首選。

另一方面,就NAND Flash業者的生產計劃來分析, 2014下半年除了三星的中國西安廠持續小量增加 3D-NAND Flash的投片外,其他業者並沒有明顯的產能擴張計劃,因此2014年產出的增加多半來自於製程轉進,12吋約當晶圓產量較去年微幅增加7.3%,產出年成長率為35.7%。DRAMeXchange預估2015年NAND Flash 12吋約當晶圓產量將較今年成長7.6%,產出年增率為35.8%。

NAND Flash市場受到移動裝置等需求增加帶動,出現迅速成長,然而價格滑落的速度也和出貨成長同樣迅速。要在市場上生存,主要製造廠之間的生產效能競爭將漸趨激烈。

NAND Flash市場需求成長快速,然而價格滑落也同樣迅速。  

NAND Flash市場受到移動裝置等需求增加帶動,出現迅速成長,然而價格滑落的速度也和出貨成長同樣迅速。要在市場上生存,主要製造廠之間的生產效能競爭將漸趨激烈。

HIS iSuppli資料預估,全球NAND Flash出貨量在2013~2018年期間,年平均增加41.8%。

以1GB為基準計算的NAND Flash出貨量,2013年為355.07億顆,2014年增加48.6%至527.51億顆,2015年預計為766.7億顆、2016年為1,116.65億顆、2017年為1,516.6億顆、2018年為2,036.16億顆等。

反觀NAND Flash價格未來5年間,平均下滑27.7%。以1GB為基準的平均銷售價格(ASP)來看,從2013年0.71美元到2014年0.49美元,下滑31.0%,接著2015年0.36美元、2016年0.26美元、2017年0.20美元、2018年0.14美元等,逐年下滑。

整體NAND Flash的銷售額同期間年平均增加3.1%。2014年將較2013年的250.94億美元增加2.6%,至257.41億美元。

主要製​​造廠因應需求增加,將擴充生產設備,另一方面,為提升生產效率也必須確保尖端製程技術。和其他半導體產品一樣,伴隨著NAND Flash的技術發展,價格將持續下滑。要在其中維持競爭力,就必須比其他競爭對手更早導入尖端技術,提升集成度並降低生產成本。

三星將Cell以3D垂直結構克服傳統水平排列的製程瓶頸,並於2013年投入量產。2014年5月再推出第二代V NAND,從24層堆疊結構提升到32層,接著又推出32層結構的第三代TLC V NAND,鞏固技術主導權。

三星電子(Samsung Electronics)8月初推出生產效能較其他產品高2倍的TLC V NAND,吸引業界目光。

三星第1季將平面結構的TLC NAND Flash生產比重提升到60%。

緊跟在三星之後的東芝(Toshiba)日前決定對三重縣四日市工廠執行資本支出,3年間將投資7,000億日圓(約68.5億美元)。東芝將在新工廠中生產V NAND產品。目前東芝的TLC生產比重為25%。

在1987年領先全球研發出NAND Flash的東芝,日前以涉嫌​​​​偷竊NAND Flash技術為由,對SK海力士(SK Hynix)提出告訴。南韓業界認為,這是東芝牽制SK海力士的策略。

SK海力士2012年投資2.85兆韓元(約27.6億美元),在南韓清州建設NAND Flash產線M12,並陸續購併義大利Ideaflash、美國LAMD、台廠銀燦eMMC控制器事業部、美國Violin Memory的PCIe事業部、東歐Softeq Development的韌體事業部等,透過購併活動強化NAND Flash事業力量。

SK海力士預計2014年內完成V NAND和TLC產品研發,並於2015年投入TLC量產。

2013年購併日系大廠爾必達(Elpida)的美光(Micron),也致力推動NAND Flash事業。美光2013年底將新加坡DRAM場轉換為NAND Flash工廠,擴大NAND Flash產量。

在NAND Flash市佔率方面,三星第1季為37.4%居冠,接著是東之31.9%、美光20.1%、SK海力士10.6%。

資料來源:HIS iSuppli

資料來源: TrendForce

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