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晶圓龍頭台積電先進製程技術再次向前大步躍進，看好快充電源管理IC市場潛力，協同合作夥伴戴樂格半導體（Dialog Semiconductor），將於明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機快充晶片，挑戰快充晶片龍頭德儀（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

喧騰已久氮化鎵製程，台積電終於宣布跨入氮化鎵先進製程，為 ​​合作客戶德商戴樂格量身打造，採用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵（GaN-On-Silicon ）製程技術，生產首顆氮化鎵手機快充晶片，預計在明年第1季產出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充 ​​電時間減半等優勢，適用於手機及平板等行動快充，將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

據悉，台積電在氮化鎵領域佈局已久，技術也相當成熟，不過，因客戶考量成本及下游應用問題，對氮化鎵製程需求不高，還是以傳統矽製程為主，因此，台積電也僅能按兵不動、等待時機。如今手機快充應用逐漸浮上檯面，手機晶片聯發科及高通相繼力推快充規格，展訊及海思也推出快充規格因應，而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手機的快充功能，蘋果也將加入快充行列，快充市場逐漸成熟，台積電適時大展拳腳。

業界表示，採用氮化鎵製程生產晶片除可應用於手機快充，還可大幅縮減筆電外接電源供應器體積，未來應用於伺服器、車用及智慧電網等市場商機龐大。因此，相關電源管理IC解決方案的國際晶片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關電源管理IC方案，推出晶片多以氮化鎵製程生產，此次，台積電與戴格樂合作，除了挑戰霸主地位，更展現台積電在氮化鎵製程成熟技術，向相關電源管理IC廠客戶招手。