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美國無晶圓半導體公司 Black Sand Technologies 發佈效能可與砷化鎵(GaAs)匹敵的 CMOS 3G RF 功率放大器(PA)產品線，據表示，新推出的 BST34 和 BST35 系列效率均達到了40%，最大輸出功率則可達到28dBm。該產品預計今年2月出樣。

BST34 是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs) RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。

BST35系列具備TruePower高效能功率檢測器，可提高總輻射功率(TRP)效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率。 BST3501是首款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。

現今手機設計師關注的重點可歸納為三項：吸引人的外觀設計；提高總輻射功率；以及SAR (特定吸收率)安全考量。“手機設計師們都在追求更高的TRP，以降低斷話風險，但在提高TRP的同時，更要關注SAR安全問題，”Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden說。

隨著智慧手機中整合的PA數量愈來愈多，平衡TRP和SAR的迫切性也隨之提高。透過該公司自行開發的內建TrueDelivered功率檢測器，行動裝置可以安全地提高TRP。與GaAs相較，BST35系列可再提高約2dB的TRP，但卻能同時兼顧SAR安全性。

提高TRP還有個好處，營運商或許不用再增設更多Femtocell基地台，因為發射功率已經足夠遠了。這是所有營運商都關心的重點之一，Nohrden表示。

Black Sand 初期將瞄準己臻成熟的3G市場，應用領域包含手機、行動可攜裝置、平板電腦、數據卡、模組等，在台灣和亞太區將由富威集團(Rich Power Electronic Devices Co., Ltd.)經銷並提供支援。

Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。3G行動裝置的 PA 數量是 2G 手機的2至3倍，而我們的產品將為客戶帶來更高效能，以及更可靠的供應來源。

BST34和BST35採用 3x3mm 10pin封裝。BST34系列產品包括內建的定向耦合器及菊鏈支援、以及整合式的過壓和過溫保護電路。 BST35產品包含Black Sand的TrueDelivered功率針偵測技術，並擁高出砷化鎵功率放大器10倍的100:1 VSWR(駐波比)。

Nohrden透露，在該公司進行的一項測試中，與目前市面上一款已用於量產、附加了100美元高階耦合器，以及功率檢測器的砷化鎵PA方案相比，其BST35系列可達到高出1dB的TRP；而若與一款帶內建式耦合的GaAs PA相比，其BST35系列可達到3dB的TRP改良。