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據台灣媒體報導，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，並在南科廠同步研發25、30納米製程，至於合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長鑫，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。

儘管大陸佈局自製3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲將與已購併飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由於門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

目前大陸DRAM勢力處於戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM佈局進行規範，若是自行研發DRAM技術必須先量產3D NAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，並獲得專利保護傘。

長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或購併現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨台積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以購併現有晶圓廠為第一考量。

近期武漢新芯12吋新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至於大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自製，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。

聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新台幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

儘管福建晉華至少要投入25納米以下製程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電採取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術開發麵臨失敗風險，遂同時研發30納米作為備案。

大陸第三股DRAM勢力係由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新台幣1,000億元，同時進行DRAM研發和製造。

目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，並雙頭並進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產並陷入激戰。