美國記憶體技術開發商Nantero最近宣佈進行新一輪融資，並準備「浮出水面」──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM；或稱Nano-RAM)，已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發；該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈米管為基礎，也就是碳原子組成的圓柱體。那些直徑僅1~2奈米的奈米管比鋼更強韌，而且導電特性比其他已知的晶片製造材料更好。
其實Nantero早在2001年就已經成立，但是目前仍然像是一家新創公司，它曾經名列EE Times的2013年版「前十大值得關注新創公司」排行榜；Schmergel透露，與系統與元件製造商的合作進展，將讓Nantero漸漸脫離潛水模式。他指出，NRAM已經準備好商業化以及量產，Nantero已經開始提供4Mb的高良率NRAM晶片樣品，而目前已經有7座量產CMOS晶圓廠安裝了NRAM製程。
Schmergel強調，NRAM技術能提供許多優勢，包括讀寫次數與DRAM相同，而速度則比手機與固態硬碟(SSD)使用的NAND快閃記憶體高一百倍：「其耐久性基本上是無限制的，因為碳奈米管永遠不會耗損。」測試結果顯示，NRAM在極端溫度下仍能維持穩定運作，該種記憶體甚至接受了航太業者洛柯希德˙馬丁(Lockheed Martin)與美國太空總署(NASA)在太空梭亞特蘭提斯號(Atlantis)上的輻射線轟炸測試。
回到地球上；Schmergel表示，NRAM的商業化優勢還包括比DRAM或快閃記憶體功耗更低，此外碳奈米管的小尺寸，意味著能以更小體積元件儲存更多資料，使其適合筆記型電腦、手機、甚至可穿戴式裝置與物聯網設備等終端系統：「還有很多我們無法預期的應用。」
而Schmergel指出，NRAM在成本上也有顯著優勢，因為碳奈米管體積小，元件尺寸能輕易微縮，意味著NRAM不會面臨與其他種類記憶體相同的製造挑戰；現有的CMOS晶圓廠也不需要額外的設備就能生產NRAM，因為該技術多年來的開發成果，已經使其能完全相容於現有半導體設備：「你能使用任何一種你想用的微影技術，這非常具成本效益。」
Nantero獨家開發的NRAM記憶體是以碳奈米管為基礎
不過Schmergel也表示，Nantero不會自己生產NRAM，而是會將技術授權給元件或裝置製造商；他透露低第一款NRAM產品，會是與DRAM記憶體插槽相容的模組，而裝置業者能將該碳奈米管儲存方案，佈署在NAND快閃記憶體電路的頂層。
對於Nantero，市場研究機構WebFeet Research執行長Alan Niebel表示，該公司埋首於NRAM技術開發超過十年，現在終於是展現成果的時候；而該技術最嚴峻的考驗，是能在多快的時間內整合進晶片。存取次數、功耗、耐久性、可擴展性以及製程簡易度等條件的表現，則將決定NRAM是否可行或能否被大量採用；但他預期嵌入式NRAM在2016年以前不會出現在市場上，而還要再過一年時間才能見到獨立式的NRAM元件問世。
Niebel認為，碳奈米管的耐久性確實頗具吸引力，而若Nantero真能降低該技術成本、實現其通用性，NRAM將會是非常值得關注的技術。不過他也指出，NRAM的製造成本可能會比DRAM便宜，可能還是會高於NAND快閃記憶體；此新記憶體技術還需要大量的實作、測試與製程最佳化。
Nantero可能會在某些應用領域看到NRAM能取代DRAM的機會，但是DRAM恐怕不是那麼容易在短時間之內被大量替代的；根據韓國業界消息，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)等廠商，都計劃在DRAM產能上投資更多，以因應來自手機等行動裝置對該記憶體技術的穩定需求。
在記憶體領域，總是會有新興技術想取代DRAM或NAND快閃記憶體，不過只是某些特定應用領域，例如電阻式記憶體(resistive RAM，RRAM)、磁阻式記憶體(MRAM)，以及還需要進一步最佳化的相變化記憶體(phase-change memory，PCM)技術。
編譯：Judith Cheng
資料來源:電子工程專輯
(參考原文： NRAM’s Time Is Here, Says Startup Nantero，by Gary Hilson)
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