西安華天科技（002185）11月14日晚間公告，為了提高其國際競爭力，公司擬使用自有資金約2.58億元收購美國FlipChipInternational,LLC公司（以下簡稱FCI公司）以及其子公司100%的股權。公司資料顯示，華天科技主營業務為集成電路為封裝測試，此次收購的FCI公司與華天科技主業相符。對於本次收購，公司方面稱，“有利於公司進一步提高晶圓級集成電路封裝及FC集成電路封裝的技術水平，將改善公司客戶結構，提高公司在國際市場的競爭能力。
” 據公告中的FCI公司業績數據，FCI公司業績良好。截至2014年8月31日，該公司的總資產為3467.6萬美元，淨資產為1139.1萬美元。2014年1-8月份營業收入為4451.3萬美元，淨利潤為41.3萬美元。《每日經濟新聞》記者梳理資料發現，華天科技過半的營收都為國外銷售收入所貢獻。據其2014年中 報數據，國外銷售收入為7.87億元，佔總營收51.17%。此次斥資收購FCI公司無疑加碼了公司在國外市場的競爭實力。
江蘇長電擬開價7.8億美元收購星科金朋，外界在此事件上最主要的聚焦有兩點：一是收購價為何偏低？二是此宗併購案為什麼將星科金朋在台灣的兩家子公司排除在外？
其實，這兩個議題互為因果，正是由於少了台星科、台灣星科金朋半導體兩隻小金雞，長電的開價才這麼便宜。惟少了這兩隻小金雞，加上星科金朋歐美客戶早已對此宗併購案表達反對與後續可能轉單的立場，這宗全球第四、第六大封測廠的合併案，最終即使成案，對業界版圖的衝擊程度恐不會太大。
中國封測廠長電科技今日晚間發布重大資產重組進展訊息，公司提議以每股星幣0.45元、總價7.8億美元（約台幣238億元），收購新加坡上市公司星科金朋（STATS ChipPAC Ltd.），但不包含台灣2家子公司。
SmartNIL™ large-area soft nanoimprint lithography process for high-volume manufacturing provides unmatched throughput and cost-of-ownership advantages over competing NIL approaches.
EV Group (EVG), a leading supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, nanotechnology and semiconductor markets, introduced its SmartNIL™ large-area nanoimprint lithography (NIL) process. Available on all EV Group NIL platforms, including mask aligners as well as the industry benchmark EVG®720 and newly available EVG®7200 UV-NIL systems, SmartNIL provides a low-cost, large-area and high-volume-manufacturing solution for a variety of advanced devices, including:
"SmartNIL is built on more than 15 years of NIL experience at EVG that includes the largest installed base of NIL systems worldwide, and is the only NIL technology currently used in high-volume manufacturing on substrates up to 200 mm ," stated Paul Lindner, executive technology DIRECTOR
at EV Group. "With our new EVG7200 UV-NIL system, which has industry-leading resolution down to 20 nm in volume production, EVG brings the advanced soft stamp and imprint capability of SmartNIL to larger substrates and smaller geometries. This enables our customers to achieve even greater cost-of-ownership (CoO) benefits and realize the full manufacturing potential of nanoimprint lithography."
Benefits of SmartNIL
近來報載大陸廠商五倍薪挖角台灣半導體產業人才，引發諸多關注。事實上，中國大陸最近在半導體產業預計投入的資源及政策扶持的力道可謂空前，的確需要政府賦予應有的重視，並做必要的因應！
《國家集成電路產業發展推進綱要》（以下簡稱《推進綱要》）的發布，引燃了業界對於集成電路的熱情。在近日召開的第12屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇上，《推動綱要》的落實與實施、集成電路產業的推進與發展成為重點議題。
在日前召開的2014北京微電子國際研討會高峰論壇上，展訊通信的新一代3G智能手機平台主芯片，採用長電科技的12英寸晶圓銅凸塊製程，精細間距倒裝鍵合，以及塑封直接填充先進封裝工藝，成功實現了多芯片fcCSP封裝測試量產;同時該芯片也採用了中芯國際的12英寸晶圓、40納米節點低介電常數工藝技術進行加工製造。長電科技副總裁梁新夫表示，這標誌著中國大陸已經打通了智能手機芯片產業鏈的各個環節，集成電路產業正在加速整體崛起。
智能手機市場強力拉升本土IC產業鏈
沙烏地阿拉伯的科學家正試圖將傳統以矽製造的堅硬晶圓，轉變成具有機械可撓性且透明的晶圓。他們最新的實驗用了最新的軟刻蝕基板薄化技術，成功地讓絕緣層覆矽(silicon-on-insulator, SOI)鰭式場效電晶體(FinFET)轉得具有可撓性。此技術可為物聯網(Internet of Things)製造消費電子產品。
半導體產業一向採用基板背研磨技術，但此方法的研磨性過強，會傷害基板正面的元件，以至於無法製造超薄且帶有可撓性的電子裝置。另外，這種方法最多只能研磨至50微米的厚度，不足以製造可撓式基板。阿布杜拉國王科技大學的Muhammad Mustafa Hussai表示，他們的新製程相形之下能溫和地將基板背面磨至遠低於50微米的厚度，製造出彎曲半徑0.5mm的超薄薄膜，對於矽這類硬質固體材料來說堪稱史無前例。
1. 在3D IC封裝裡，任何組成材料的改變都會對IC效能造成巨大的改變。在封裝過程中，你如何控制在銅柱上的銀與錫？未來的電鍍液會有哪些新的要求？
| 繼行動裝置之後，物聯網應用已躍居晶圓廠新的技術布局焦點，包括台積電、聯電和三星皆相繼揭櫫16/14奈米FinFET製程進展，並加速朝10奈米以下先進製程邁進，以實現更高整合度、更低功耗和占位空間的次世代晶片，搶占物聯網產品設計商機。 |
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| 1x奈米製程戰火一觸即發。穿戴式電子、物聯網裝置設計熱潮興起，已驅動先進製程導入需求，因而刺激台積電、聯電和三星(Samsung)等晶圓代工業者加足馬力發展16/14奈米鰭式電晶體(FinFET)，並於近期頻頻發動攻勢。
其中，台積電一馬當先發布超低耗電(ULP)技術平台，提供從0.18微米到16奈米鰭式電晶體(FinFET)等一系列超低耗電製程，協助客戶打造更低功耗且整合度更高的系統元件。至於聯電和三星也不落人後，前者透過與半導體設備商合作，展開14奈米製程產線先期部署，後者亦積極展現14奈米FinFET製程設計實力，讓市場頓時硝煙瀰漫。 台積電董事長張忠謀曾表示，物聯網將是電子產業下一個大事(Next Big Thing)，並點名低功耗、系統級封裝(SiP)及感測技術將是支撐物聯網發展的三大支柱。其中，低功耗設計更已成為半導體供應鏈業者一致追求的目標，將牽動一連串製程、IC設計技術轉變。 |
摩爾定律(Moore’s Law)未死，但顯然已經來到了晚年，而且尚未出現可取代的基礎技術；接下來將如何發展可能會挑戰過去技術專業人員與一般大眾的假設。
以上是在美國矽谷舉行、主題為探索未來20年技術的IEEE研討會結論之一；這場討論會檢驗了一些需要工程師負起責任展現其能力的技術，以及對一個仰賴科技卻往往未能成功了解它的世界來說，科技的限制所在。
隨著摩爾定律接近極限，系統級封裝（3D封裝）將為集成電路產業帶來了一個新的機遇。集成電路封裝技術已向2.5D/3D（TSV）封裝、系統級封裝（SiP）、芯片級（CSP）及圓片級封裝（WLP/WLCSP）技術方向發展，BGA、倒裝焊（Flip Chip） 、圓片凸點（Bumping）、SiP、WLP及各種CSP技術在國內市場的需求逐年遞增。經初步統計，目前在國內的集成電路產品的封裝中，先進封裝的佔比已超過20%。 2014年智能手機、平板電腦出貨量增長維持在兩位數。以TSV為核心互聯技術的高密度三維集成技術成為未來封裝領域的主導技術，開創了後摩爾時代。
華進半導體封裝先導技術研發中心，在3D（TSV）系統級封裝（SiP）方面已經有所佈局。華天科技研發了多款TSV-CSP封裝影像產品。
還未正式成立就在半導體市場攪亂一池春水的中國「國家積體電路產業投資基金」，終於在 14 日正式公告於中國工業和信息化部網站，象徵該基金正式成立。以首期 1,200 億人民幣的規模，相當於台幣 6,000 億，中國要全力扶植晶片產業。
在工信部的公告裡說到，這筆基金的設立目的為適應機晶片產業投資大、風險高的產業特徵，突破晶片產業融資瓶頸，並創新產業投資機制。基金由國開金融、中國煙草、中國移動、上海國盛、中國電科、紫光通信、華芯投資等作為發起人，吸引大型企業、金融機構以及社會資金共同投資。
過去開發的半導體世代技術，很清楚地以製程技術和材料選擇來定義所謂的「贏家」。然而當尺寸微縮到小於14nm時，似乎有多種技術可以被選擇。舉例來說，對微影技術而言，可能可使用的技術包括進一步擴大 193i 的適用領域、採用極紫外線微影技術、定向自組裝技術（ Directed Self Assembly, DSA），無遮罩微影技術（Mask Less Lithography, ML2）等等。至於電晶體的尺寸微縮，它可能是非平面元件結構和非矽材料（例如，III-V族）之組合。但它也可能意味著根據不同的應用，各家公司可能想要選擇非傳統的微縮方案，例如3D整合。
微影：對所有的選項持開放態度
台聯電計劃在今後五年內投資13.5億美元，在廈門新建造一個新的合資晶圓工廠。預計項目總計投資將達到62億美元，採用的工藝是55和40納米製程，正式投產後每月可生產12寸晶圓5萬片。
合資的兩個夥伴是廈門市人民政府和福建電子信息集團。 UMC預計它的建廠投資基金將於2015年開始，目前尚在等台灣政府的批复。
過去媒體與業界常講最尖端、先進的半導體技術不會到中國投資，某些國家的政府對於輸出特定半導體技術到中國投資都有設定限制，因此過去國際半導體廠在中國投資半導體相關事業，以晶片封裝測試廠、8 吋以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術、買設備與外資合作建立中國半導體產業的新局後，有了重大改變。
晶圓代工廠與無晶圓廠設計業者們已經成功地量產 28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal Gate，HKMG)製程，此外無論是採用閘極後製(gate-last)或閘極優先(gate-first)技術，都能產出高良率以及具可靠度的產品。
半導體製程新世代競爭激烈，製程、檢測設備大廠均需卯足全力因應客戶需求，光學晶圓缺陷檢測設備大廠KLA-Tencor行銷長Brian Trafas表示，半導體新製程世代的業務週期已從過去平均2.5年~3年，急速縮短至18~24個月。
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