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國際電子元件大會IEDM即將在12/5至12/7日於美國華盛頓特區舉行。旺宏(2337)今年再次有5篇論文入選，篇數居台灣業界之冠。近年來，旺宏每年在IEDM大會平均約有5篇論文發表，顯示在先驅記憶體研發成果深受國際肯定，也因此自去年起旺宏有3位研究同仁分別獲邀擔任IEDM三個分組論文審查委員會的評審委員。

IEDM被視為微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地最傑出研究成果於會中發表，該會議除了提供技術交流的平台，同時亦為展現研發實力的重要櫥窗。今年IEDM共有來自全球逾600篇論文投稿，最後評選出200餘篇於會中發表。台灣獲選論文除了旺宏以外，主要還包括交大6篇、國家奈米實驗室4篇、工研院3篇及台積電(2330)2篇等。

全球則以美國IBM發表22篇最多，歐洲比利時微電子研究中心IMEC的16篇居次。旺宏電子董事長吳敏求指出，繼美國權威調研諮詢機構專利委員會(The Patent Board)評比旺宏的專利實力在全球半導體企業排名十八、台灣企業列名第一的結果之後，旺宏今年在IEDM獲得的高入選論文篇數，又是另一項肯定旺宏研發實力的具體指標。

旺宏10年來總計於IEDM發表41篇論文，近年來更是表現亮眼，例如2006年與IBM及Qimonda發表的20奈米以下相變化記憶胞技術獲選為年度重要論文，更受邀至隔年的ISSCC會中再次發表；2009年以第一作者（First Author）發表5篇論文，篇數居台灣業界及學術研究機構之冠。

今年，旺宏電子在IEDM所發表的5篇論文，主要是針對PCM, ReRAM及BE-SONOS等次世代非揮發性記憶體材料結構、可靠性及製程微縮等問題進行深入探討。由於旺宏在先進記憶體的研究成果常獲重大突破，且對未來技術發展極具有影響力，因此於2010年起受邀擔任IEDM三個分組論文審查委員會「Memory Technology」、「Displays, Sensors, and MEMS」及「Characterization, Reliability, and Yield」之評審委員，每屆任期兩年。