英特爾正在考慮許多發展方向,包括一些並未包含在這張幻燈片中的選項片。  

英特爾正在考慮許多發展方向,包括一些並未包含在這張幻燈片中的選項片。

ARM 宣佈將在今年10月底的 ARM TechCon展會中探討 14nm 製程面臨的挑戰,來自 IBM 的工程師Lars Liebman和 ARM 資深研發工程師Greg Yeric都將在會中發表演講,共同探討這個業界矚目的議題。
ARM的演講將探討IC定義所需的圖形化以及在涉及非平面架構時的困難程度,同時也將討論超紫外光(EUV)微影技術,並解釋在EVU到位以前,如何將雙重圖案運用光學微影技術來彌合技術差距。另外也將討論到多重圖案的複雜性。

ARM 將在這次活動中探索14nm節點時晶片的功耗、面積及成本。另外,活動中也將針對FinFET的基本原理,以及FinFET對實體IP和更高層處理器IP的影響。也就是說,會中還將討論FinFET將對即將到來的ARM處理器核心及其週邊帶來哪些影響。

英特爾探路10nm

英特爾 (Intel) 技術暨製造部總監 Mark Bohr 則是在稍早前的英特爾開發者論壇(IDF)中表示,已經找到採用浸入式微影技術來開發 10nm 製程的方法,這家晶片製造商預計在2013年底開始 14nm 製程生產晶片。

10nm 製程預計在2015年或以後首度亮相。該製程的某些光罩將會需要四重圖形(quadruple patterning),但“它仍具經濟性,”Bohr強調。

Bohr 並未透露英特爾的14nm 或 10nm 製程計畫細節,僅強調了技術上的可行性。

一直以來,英特爾都致力於開發超紫外光(EUV)微影技術,最近也加入 ASML 的 41億美元投資計畫,以推動該技術發展。“對我們而言,EUV相當重要,這就是為何我們投資ASML的主要原因,但我們仍然有許多選擇,包括採用多重圖形的浸入式技術等,”Bohr說。

英特爾預計,在14nm至少某些

ARM 宣佈將在今年10月底的 ARM TechCon展會中探討 14nm 製程面臨的挑戰,來自 IBM 的工程師Lars Liebman和 ARM 資深研發工程師Greg Yeric都將在會中發表演講,共同探討這個業界矚目的議題。
ARM的演講將探討IC定義所需的圖形化以及在涉及非平面架構時的困難程度,同時也將討論超紫外光(EUV)微影技術,並解釋在EVU到位以前,如何將雙重圖案運用光學微影技術來彌合技術差距。另外也將討論到多重圖案的複雜性。

ARM 將在這次活動中探索14nm節點時晶片的功耗、面積及成本。另外,活動中也將針對FinFET的基本原理,以及FinFET對實體IP和更高層處理器IP的影響。也就是說,會中還將討論FinFET將對即將到來的ARM處理器核心及其週邊帶來哪些影響。

英特爾探路10nm

英特爾 (Intel) 技術暨製造部總監 Mark Bohr 則是在稍早前的英特爾開發者論壇(IDF)中表示,已經找到採用浸入式微影技術來開發 10nm 製程的方法,這家晶片製造商預計在2013年底開始 14nm 製程生產晶片。

10nm 製程預計在2015年或以後首度亮相。該製程的某些光罩將會需要四重圖形(quadruple patterning),但“它仍具經濟性,”Bohr強調。

Bohr 並未透露英特爾的14nm 或 10nm 製程計畫細節,僅強調了技術上的可行性。

一直以來,英特爾都致力於開發超紫外光(EUV)微影技術,最近也加入 ASML 的 41億美元投資計畫,以推動該技術發展。“對我們而言,EUV相當重要,這就是為何我們投資ASML的主要原因,但我們仍然有許多選擇,包括採用多重圖形的浸入式技術等,”Bohr說。

英特爾預計,在14nm至少某些層將需要雙重圖形。若在10nm使用浸入式技術,則會有更多層需要雙重圖形,有些甚至會需要四重圖形。

在14nm,Bohr表示,“增加的晶圓以及雙重圖形成本仍可由晶片密度提升來抵銷,因此,每一代電晶體的成本也都會以穩定的趨勢持續降低。”

他認為,即使是在10nm使用浸入式技術,該趨勢也將會一直持續。截至目前,“EUV比我預想的還要遲,我無法肯定它何時到來,”他說。

“我們可能是最後一家堅守每隔兩年投入新一代製程技術腳步的公司,”Bohr說。

英特爾位在俄勒岡州的元件和邏輯技術開發小組正在廣泛地探索各種電晶體、互連、記憶體和其他技術的可能性,不過,他們可不是只做這些事,”Bohr說。

Bohr談到了英特爾的晶片製造策略。“我們的目的並不在代工,但我們確實有著小規模的晶片製造業務,”他表示。除了銷售晶圓,這項工作“也為我們提供了額外優勢,就是能從其他的設計團隊獲得資訊,從而最佳化製程技術

層將需要雙重圖形。若在10nm使用浸入式技術,則會有更多層需要雙重圖形,有些甚至會需要四重圖形。

在14nm,Bohr表示,“增加的晶圓以及雙重圖形成本仍可由晶片密度提升來抵銷,因此,每一代電晶體的成本也都會以穩定的趨勢持續降低。”

他認為,即使是在10nm使用浸入式技術,該趨勢也將會一直持續。截至目前,“EUV比我預想的還要遲,我無法肯定它何時到來,”他說。

“我們可能是最後一家堅守每隔兩年投入新一代製程技術腳步的公司,”Bohr說。

英特爾位在俄勒岡州的元件和邏輯技術開發小組正在廣泛地探索各種電晶體、互連、記憶體和其他技術的可能性,不過,他們可不是只做這些事,”Bohr說。

Bohr談到了英特爾的晶片製造策略。“我們的目的並不在代工,但我們確實有著小規模的晶片製造業務,”他表示。除了銷售晶圓,這項工作“也為我們提供了額外優勢,就是能從其他的設計團隊獲得資訊,從而最佳化製程技術。”

 

編譯: Joy Teng

 

(參考原文: ARM TechCon probes road to 14-nm ICs ; Intel's Bohr sees path to 10-nm chips ,by Peter Clarke, Rick Merritt)


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