三星電子(Samsung Electronics)迎接第三代V-NAND，成為目前唯一量產48層V-NAND半導體廠。而三星電子也建立每一年便推出新一代V-NAND的V法則，企圖透過領先的技術力，拉開與競爭對手的距離。
據韓媒Money Today報導，三星電子日前宣布將原本第二代32層128Gb NAND的容量，成功提升成2倍到第三代256Gb V-NAND，並已進入量產。
儲存數據的單元(cell)為之前產品1.5倍高度的48層堆棧，一片芯片就能做出搭載在智能型手機的32Gb容量的記憶卡。使用在固態硬盤(SSD)上的話，在維持跟以前一樣尺寸的情況下，容量能提升為2倍，也讓TB SSD的大眾化指日可待。
三星電子2013年8月最先開始量產24層V-NAND，2014年8月和2015年8月逐年提升一世代的V-NAND，拉開與其他競爭者的追擊。
位居NAND市場第二名的東芝(Toshiba)計劃在2015年內開始量產48層V-NAND產品，第三名美光(Micron)決定和英特爾(Intel)一起研發新世代內存技術「3D Xpoint」，第四名SK海力士(SK Hynix)則預計2015年底將公開48層新產品。
報導指出，由於半導體的生產上只要有細微的不良就會造成問題，所以無法斷言實際量產的時機。因此，這次三星的第三代V-NAND量產成功，可說是確實跟競爭者地拉開相當大的差距。
三星投入最密集的尖端技術在第三代V-NAND上，形成單位的層堆棧了48層之後，垂直地打入約18億個圓形的孔洞，將總共853億個以上的單元高速運轉，每個單元可儲存3 bit的數據，總共可讀取2,560億個數據。
三星表示，第三代V-NAND同時提高了性能和省電效果，比第二代更快速地儲存數據，而電量消耗節省了30%以上，同時有效地活用既有的32層量產設備，將產品的生產力提升約40%，因此也大大地強化了成本的競爭力。
未來三星電子將增加更多投資在第三代V-NAND生產上，並以稍早7月上市的2TB SSD產品為契機，再度提前TB SSD大眾化計劃。為了提高對市場的控制，針對一般消費者用2TB大容量SSD也將重新上市。
取代了硬盤(HDD)的SSD市場快速擴張，預計不久後搭載NAND的SSD產品將成為市場新寵。據市調業者IHS報告指出，到2017年SSD市場將達到148.65億美元，超過預估的智能型手機市場(144.33億美元)，將成為使用NAND最多的產品。
三星電子2014年以34%的市佔率在SSD市場獨居龍頭，企圖透過領先的V-NAND技術持續強化其市場支配力。三星電子內存事業部社長全永鉉表示，在最能發揮V-NAND技術優越性的超高速頂級SSD市場中，將繼續擴大事業領域，並維持獨步領先的事業地位。
Source: Digitimes
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