台積電今（29）日宣布領先積體電路製造服務領域，推出業界最完備的超低耗電技術平台，針對需要廣泛技術支援且又快速成長的物聯網及穿戴式裝置市場提供必要技術，以滿足市場多樣化產品應用的需求。
透過此技術平台提供多項製程技術，來大幅提升功耗優勢以支援物聯網及穿戴式產品，同時也提供完備的設計生態環境，加速客戶產品上市時間。
超低耗電製程組合除涵蓋目前的0.18微米極低漏電製程（0.18eLL）、90奈米超低漏電製程（90uLL）及16奈米FinFET製程，更擴展至全新的55奈米超低耗電製程（55ULP）、40奈米超低耗電製程（40ULP）及28奈米超低耗電製程（28ULP）以支援運算速度高 達1.2GHz之應用。此項涵蓋0.18微米到16奈米FinFET的超低耗電製程組合適用於各種具節能效益的智慧型物聯網及穿戴式產品。
其中，0.18微米至40奈米的超低耗電製程亦具備射頻及嵌入式快閃記憶體功能，能進行系統級整合以有效縮小尺寸外觀，並藉由無線傳輸技術串連物聯網產品。而相較前一代的低耗電製程，超低耗電製程能夠進一步降低操作電壓達20到30%，以減少動態與靜態功耗，同時大幅延長物聯網及穿戴式產品輕薄短小電池的使用壽命達2至10倍。
台積電總經理暨共同執行長劉德音博士表示，超低耗電及無所不在的連結功能是物聯網能否成功的關鍵，這次領先業界成功推出完備的技術平台，有效滿足多樣化物聯網市場的需求與創新。公司針對此新興市場所提供的廣泛技術組合，展現了技術領導地位以及帶給客戶最大價值的承諾，並協助客戶打造具競爭性的產品，成功贏得設計合作案。
此外，台積電強調，客戶利用“開放創新平台”所提供的既有矽智財設計生態環境，是公司超低耗電技術平台額外提供的一個重要價值。當晶片設計人員進行新的超低耗電製程設計時，能夠輕易再使用公司低耗電製程的矽智財與元件資料庫，以提高首次設計即生產成功的機率，並達到產品迅速上市的目標。
台積電預計2014年與客戶在55奈米超低耗電製程、40奈米超低耗電製程及28奈米超低耗電製程初步達成數項設計合作案，並在2015年進入試產。
來源：自由時報發布者
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