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南韓記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)在2015年底前會投入36層的3D NAND量產，2016年將階段性的量產48層3D NAND記憶體；而近期暫無購併計畫。

據韓媒ZDNet Korea報導，14日SK海力士社長朴星昱在2015南韓電子產業大展上表示，2015年進行36層的3D NAND記憶體量產，2016年則會大規模量產48層的3D NAND記憶體。

朴星昱表示，SK海力士在生產上導入20奈米製程的新技術，目前技術相當穩定，已經向客戶提供20奈米製程的DRAM樣品，正在做量產的準備。現階段SK海力士將研發重點放在能提高現有DRAM與NAND Flash性能，不急於開發如STT-MRAM與ReRAM這類的新產品。

對於業界吹起的購併風潮，朴星昱表示，現階段是提升M8產線的晶片製造與系統半導體生產能力，下個階段才會考慮購併。

朴星昱對第4季的市場狀況則抱持悲觀的態度。朴星昱認為，在DRAM的市場上，價格雖然不像以往有大幅度的波動，但由於供給量持續增加，預估DRAM的價格會持續滑落。

DIGITIMES中文網 原文網址: SK海力士明年正式量產48層3D NAND記憶體 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=1&cat=40&cat1=30&id=0000446855_MIQ9Y9CA4AH3VB6C3IS1W&ct=1&wpidx=3#ixzz3oXejLdlU