NAND Flash大廠東芝(Toshiba)與快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)合資的新12吋晶圓廠Fab 5日前宣布投產,預計第1批24奈米製程晶片將於8月正式出貨,未來將轉進19奈米製程;而三星電子(Samsung Electronics)新廠Line 16也將於9月正式投產,預計以NAND Flash晶片為主。以2011年第1季全球市佔率來看,三星與東芝之間市佔差距僅0.3個百分點,幾乎在伯仲之間,即使傳出智慧型手機和平板電腦需求不如預期,但雙方在新廠上的擴產,恐見不到休兵之日。

東芝和新帝在2010年7月宣布,將合資第3座12吋晶圓廠Fab 5,同樣位於日本三重縣四日市,經過1年的設備裝機和準備後,日前Fab 5已正式量產,目前東芝和新帝的主流製程為24奈米,預計第1批24奈米製程的晶圓將於8月正式出貨,接下來也將導入19奈米製程。

經過日本311強震洗禮,新帝指出,新廠Fab 5是採用先進吸震結構,並整合多項電力補償技術,以防因意外造成生產線中斷,而在節能減碳方面,Fab 5也採用LED照明和節能型生產設備,Fab 5將達成全廠二氧化碳排放量比Fab 4減少12%的目標;再者,通過一條晶圓運輸系統,Fab 5可與Fab 3和Fab 4連接在一起,提升生產製造的效率。

而東芝NAND Flash領域上的勁敵三星,其新廠Line 16也將於9月正式投產,NAND Flash晶片將是最主要的產品;根據市調機構iSuppli統計,2011年第1季全球NAND Flash市場上,三星和東芝仍分屬第1、2名,但市佔率卻已拉鋸到0.3個百分點,因此未來新12吋晶圓廠產能將是雙方的決勝點。

面對三星已蟬聯全球NAND Flash產業寶座長達8年,東芝不只一次宣示要挑戰三星龍頭寶座,Fab 5量產問世頗有此雄心壯志;以出貨量來看,東芝/新帝在日本的2座12吋晶圓廠,目前單月能約35萬片,三星在華城Line 12、器興Lien 14和美國奧斯汀廠等廠房,相加的產能也約35萬片,未來新產能加入後,預計會左右戰局。

至於美光(Micron)和英特爾(Intel)也有擴產計畫,新加坡新12吋晶圓廠則由美光拿下主導權,顯見美光未來重心將放在NAND Flash產業上,且積極鞏固技術領導地位。

東芝/新帝、三星、美光(Micron)等都積極擴建NAND Flash產能,主要也是看中智慧型手機、平板電腦、固態硬碟(SSD)無限商機,當科技產業趨勢往行動通訊和系統體積輕薄短小方向移動,對於NAND Flash晶片就越有利,取代傳統硬碟的機率大幅攀升,因此半導體廠的擴產競賽絲毫不能懈怠。

三星新廠Line 16在2011年4月舉辦完工儀式後,預計將於9月正式投產,加上美光和英特爾的新廠也預計在第3季末到第4季之間量產,預計在2011年底前,東芝/新帝、三星、美光/英特爾(Intel)等新12吋廠將全員到齊。

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