採用DDR接口東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

日本東芝公司正大推出了新系列24nmeMMC閃存芯片。新的NAND閃存芯片主要面向的是嵌入式應用,由於使用了雙數據接口,因此將可以帶來更加出色的隨機存取和連續數據存取性能。由於使用的是全新的24nm工藝,因此新芯片體積將變得更小,同時價格也得到了明顯下降。


東芝eMMC NAND閃存芯片採用的是toggle-mode DDR接口,主要面向的是嵌入式產品,容量從2G至128G不等,並且完全符合JEDEC e-MMC 4.41標準。東芝全新系列24nm e-MMC產品可將最高128G NAND閃存和e-MMC共同封裝,同時東芝公司也成為了目前第一家成功將16片64Gbit核心封裝於同一個e-MMC ,達到128G容量。同時通過先進的工藝以及佈線技術使得芯片的厚度只有30微米。    

東芝24nm e-MMC工藝將可以帶來更低的成本,更高的存儲容量,更高的性能以及更小的封裝尺寸,所有這些使得該芯片能夠更好得滿足當前智能手機,平板電腦以及電子閱讀器、數碼攝像頭、打印機、服務器以及POS等產品的需求。    

東芝通訊內存產品部業務拓展經理Scott Beekman表示:“使用了我們最新的toggle-mode DDR NAND,是使得我們的eMMC產品獲得更高性能,變得更小以及封裝變得更薄的關鍵所在。比如我們的128GB e-MMC產品可以使用14x18封裝,這將獲得很多應用的支持。”     

目前東芝公司已經成功出樣8GB, 16GB, 32GB以及64GB 24nm e-MMC芯片,量產預計將會從3季度開始。

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