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扣除2家IC設計業者，2012年全球前10大半導體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、台積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半導體(STMicroelectronics)。觀察2012~2013年主要半導體大廠資本支出變化，英特爾與台積電均將較2012年增加，三星電子、東芝可望持平，SK海力士將較2012年減少，至於採輕晶圓廠策略的瑞薩電子、德州儀器及意法半導體2013年仍將維持在低資本支出水位。

2013年英特爾資本支出將較2012年增加18.2%，達130億美元，除持續提升22奈米製程佔產能比重外，亦將投入18吋晶圓與14、10、7、5奈米等更先進製程研發，以生產效能更佳的處理器。

三星電子半導體事業資本支出自2009年僅32億美元持續增加至2012年123億美元，已連續3年成長，然2013年預估將小幅減少至120億美元，其記憶體事業投資重點包括持續提升DRAM 28奈米製程佔產能比重、續建大陸西安NAND Flash新廠，及推動NAND Flash朝21、16奈米製程邁進，而系統IC事業則將以擴充德州奧斯丁廠產能，及重啟南韓華城廠第17產線興建計畫為主。

2013年台積電資本支出將自2012年83億美元增加至95億~100億美元，主要將用於布建28、20及16奈米製程產能。日廠東芝2013年資本支出可望持平在20億美元，主要將用於投入NAND Flash 1y奈米製程研發。

SK海力士資本支出自2009年僅8億美元持續增加至2012年35億美元，呈現連續3年成長態勢，然2013年預計將減少至26億美元。2013年SK海力士不僅將推動其DRAM自35奈米升級至28奈米製程，NAND Flash自27奈米升級21奈米製程，更計劃於其晶圓代工產線切入更高階晶片生產。

另外，韓廠三星與SK海力士雖2013年半導體事業資本支出均將較2012年減少，主要用於先進製程產能的布建，但對於透過購併公司以布局半導體相關技術的態度將更加積極，此透露出南韓半導體廠商漸不侷限於僅投資在設備或廠房，更重視半導體元件技術布局的完整性。

原文網址: Research - 2013年三星與SK海力士半導體資本支出轉趨保守　然投資方式更趨多元 http://www.digitimes.com.tw/tw/rpt/rpt_show.asp?CnlID=3&v=20130508-213&ct=1#ixzz2V21nF5AE