據韓聯社報導,三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix)2011年第1季在全球DRAM市場上雙雙維持市佔率排名第1及第2名地位,連續3季市佔率達60%以上。2大企業在NAND Flash市場的佔有率也逐漸攀升,接近50%。


外電指出,2011年第1季全球DRAM市場規模約83億美元,較2010年第4季縮小約3.7%。以各單季來看,市場規模在2010年第1季約將近93億美元,第2季約10億美元、第3季約107億美元等節節攀升,至第4季開始出現市場規模縮小走勢。


2011年第1季以各企業的市佔率來看,三星以約33億美元佔市場近4成市佔,海力士則以近19億美元佔約23%,日廠爾必達(Elpida)市佔率約13%、美光(Micron)約11%、台廠南亞科則為4%。南韓2大企業合計市佔率達近62%。


三星的市佔率從2010年第1季到第4季各為32.3%、34.3%、40.4%、40.9%等逐漸升高,2011年第1季略為下滑。海力士2010年第1~4季市佔率各別為21.5%、21.6%、19.8%、22.0%等,2011年第1季市佔率也有攀升。

合計2大韓系半導體廠從2010年第1季到第4季的DRAM市佔率,第1季為53.8%、第2季為55.9%、第3季為60.2%、第4季為62.9%,2011年第1季為62.7%,已連續3季突破60%。

相對的,與2010年第4季相比,爾必達市佔率減少4.0個百分點,美光減少2.7個百分點,南亞則減少0.4個百分點。

3月日本發生大地震,於第2季開始對南韓半導體業者產生影響,帶動韓產DRAM市佔率增加。而在快閃記憶體方面,南韓企業市佔率也有成長。外電指出,若以16Gb產品換算2010年第1季快閃記憶體全球銷售量,約達17.29億顆。
快閃記憶體銷售從2010年第1季10.91億顆、第2季12.03億顆、第3季13.35億顆、第4季16.17億顆等逐漸增加,2011年第1季與2010年同期相比已成長58.5%。


以各企業來看,2011年第1季三星銷售量為6.57億顆、東芝(Toshiba)為5.71億顆、IM Flash為3.18億顆、海力士為1.79億顆等,三星與海力士市佔率合計為48.4%。

兩大韓廠市佔率2010年從第1季43.3%、第2季43.5%、第3季45.2%、第4季46.2%等逐漸升高,2011年第1季已接近50%。

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