石墨烯為基礎的肖特基結太陽能電池:(a)無摻雜,b)有摻雜,(c)圖中有摻雜的太陽能電池顯示接觸器和接觸導線。來源:美國化學學會
利用石墨烯良好的電學和光學性能,再摻雜一種有機物,研究人員就取得了迄今最高的能量轉換效率,他們做的是石墨烯為基礎的太陽能電池。無摻雜設備的能量轉換效率是1.9%,摻雜後提高4倍多,達到8.6%。
這些研究人員中,領導是塞法汀•通蓋(Sefaattin Tongay)和亞瑟F.•赫巴德(Arthur F. Hebard),他們來自蓋恩斯維爾(Gainesville)佛羅里達大學(University of Florida) ,他們的研究探討高效率石墨烯太陽能電池,發表在5月3日的《納米快報》(Nano Letters)上。
“在這裡,我們不僅利用了石墨烯優異的光學透明性,而且降低了石墨烯的電阻,調整石墨烯的費米能級(Fermi level),使用的是廉價環保的有機塗層。”通蓋說,“在這一步,自然屬性對我們很有利,在接口上產生了較高的整流和電場,進一步提高了太陽能電池的效率。”
在新的太陽能電池中,單層石墨烯放在矽片上,用作肖特基結(Schottky junction),主要組成部分就是簡單的光伏設備,稱為肖特基結太陽能電池(Schottky junction solar cells )。
在光照條件下,電子-空穴對(electron-hole pairs)會在矽中因光產生。光生電子和空穴被分離,就是因為肖特基結內置的電勢,它們會被收集到帶相反電荷的石墨烯和半導體接觸器上。這種單向流動的電流(電子流朝著一個方向,空穴朝著另一個反向)是肖特基結規定的屬性,可以使設備發電。
石墨烯為基礎的肖特基結太陽能電池在過去也演示過,這裡,研究人員邁出了新的一步,摻雜石墨烯時採用有機化學品三氟甲磺酸(TFSA:trifloromethanesulfonic acid),他們使用了簡單的旋塗法(spin-casting method)。
摻雜使研究人員可以調整石墨烯的費米水平(可衡量電子電勢能量),這帶來了兩個變化,可提高太陽能電池的整體效率:降低了石墨烯的電阻,提高了太陽能電池的內置電勢,這就可以更有效地分離電子-空穴對,這些電子空穴對是由所吸收的光子產生的。
有了8.6%的效率,這種摻雜器件就顯著提高了效率,超過其他基於石墨烯的肖特基結太陽能電池,這些電池迄今已證實的電能量轉換效率是0.1%到2.86%不等。
肖特基結太陽能電池使用銦錫氧化物(indium tin oxide),相比之下,太陽能電池使用石墨烯有幾個優勢。例如,可以調整石墨烯的性質,優化太陽能電池的效率,而且石墨烯層也可用於矽以外的半導體。
研究人員希望,這裡使用的方法簡單而且具有可擴展性,可以進一步改進設備,並在未來進入實際應用。
“我們期望,這一效率可以進一步提高,因為可以設計工程接口,使用不同的有機塗料層,產生更高的摻雜效應,也可以提高石墨烯的質量和轉運程序,使用防反射層,還有很多其他方法,都是太陽能電池界所知道的,”通蓋說。“這僅僅是一個開始。”
赫巴德說,進一步發現石墨烯的物理屬性,會帶來更高效、廉價的太陽能電池。
“我們介紹的能量轉換效率可以提高,只需要簡單地使用一種穩定的有機覆蓋層,這僅僅是一個開始,”他說。“石墨烯及其衍生物不斷地給我們帶來驚喜,因為具有不同尋常的性質(強度,彈性,擴散屏障,可調諧的費米能級,線性電子光譜等)。進一步的發展也會實現,可以更深入的理解物理學,就是進入的光子如何有效地產生電子和空穴,然後又被分離和收集,就採用我們介紹的配置。這方面的知識應該用於尋找矽的替代物,比如有機物和聚合物,它們更便宜,可大面積使用。
“很顯然,石墨烯及其衍生物的研究已經廣為人知;我們期望,我們對太陽能電池的研究會繼續下去。”
更多信息:《高效率石墨烯太陽能電池採用化學摻雜》(High Efficiency Graphene Solar Cells by Chemical Doping)。”《納米快報》,2012年5月3日。
我們演示了單層石墨/n型矽肖特基結太陽能電池(single layer graphene/n-Si Schottky junction solar cells),採用AM1.5強度的光照,表現出的能量轉換效率(PCE)是8.6% 。這一性能的取得,是因為摻雜石墨烯與雙(三氟甲烷磺酰)亞胺(bis(trifluoromethanesulfonyl)amide),這樣會超過原生(無摻雜)設備性能4.5倍,是迄今能量轉換效率最高的石墨烯基太陽能電池。電流-電壓、電容-電壓,以及外部量子效率的測量都表明有提高,原因就是摻雜誘導,轉變了石墨烯的化學位(chemical potential),提高了石墨載流密度(降低了電池串聯電阻) 。而且提高了電池的內置電勢(提高開路電壓),這兩者都提高了太陽能電池的填充因子(fill factor)。
資料來源:《納米快報》
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