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日經新聞28日報導，日本半導體(晶片)、液晶技術研發機構「日本半導體能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)」已研發出可將耗電力壓縮至現行1/10以下水準的次世代晶片量產技術，且台灣晶圓代工大廠聯電(UMC；2303)將搶先在2016年夏天開始生產採用上述技術的CPU、記憶體產品。

報導指出，SEL捨棄現行主流的矽、改用被稱為「IGZO」的氧化物半導體的特殊結晶體，藉由形成多層電子電路(electronic circuit)、防止電流外漏，藉此達到省電的效果，除可大幅改善智慧手機等電子機器的電池壽命之外，也有望促進智慧手錶等穿戴式裝置的普及速度。

據報導，除CPU、記憶體之外，上述新技術也可應用在感測器、邏輯積體電路(IC)等廣泛半導體產品上，藉此可將智慧手錶等穿戴式裝置的電池壽命延長至現行的約10倍水準，而SLE計畫將該技術賣給全球半導體廠商、藉此收取特許費。

報導並指出，今後半導體基礎材料可能將從現行主流的矽轉換成IGZO特殊結晶體，而美國英特爾(Intel)、南韓三星電子(Samsung Electronics)等全球半導體大廠也正持續關注此種技術動向。