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Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發出了20nm製程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業內首款基於20nm製程的大容量MLC NAND閃存芯片。

據Hynix透露，成功實現大容量MLC NAND芯片20nm製程化的關鍵在於air-gap技術的應用，這種技術與邏輯芯片互連層用low-k電介質上應用的air-gap技術非常類似，可以減小字線間（簡單說就是NAND各控制柵極的連線）的相互干擾。通過採用尺寸較大的air gap結構，Hynix成功將閃存芯片中的信號干擾降低到了較小的水平。

據Hynix介紹，airgap減小線路間干擾的效果還與airgap的形狀和所處的位置（在芯片中的高度）有很大的關聯。因此，Hynix選用了方形或橢圓形狀的airgap，並且模擬了分別採用這兩種不同形狀的airgap在處於不同高度位置（指airgap結構下部到浮柵下端的距離在0-200埃之間變化）時的降噪作用變化，最後，他們發現採用方形airgap，並且與浮柵下端的高度差為0埃時的降噪效果最好。

另外，Hynix還透露其製作這種20nm製程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片時，字線及位線（簡單說就是連接NAND晶體管漏極的金屬線）採用的光刻技術是193nm波長ArF光源液浸式光刻系統+自對準式雙重成像技術（原文為spacer patterning technology，其實就是人們常說的SADP技術的另一種叫法而已）。

CNBeta編譯
原文：nikkeibp