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圖1：元件構造

圖2：存儲器技術的比較

　　日立製作所中央研究所開發出了選擇元件採用多晶矽MOS晶體管的相變存儲器（Phase Change Memory：PCM），並在“2011 Symposium on VLSI Technology”上發布（演講編號：5B-2）。設想用於存儲用途，以實現低成本化和GB/秒級的高寫入速率。

　　PCM具有“工作電壓低、可擴展性強、寫入時間短等優點，因此適用於存儲用途”（日立製作所）。但是，原來的PCM由於復位電流大至140μA，因此需要驅動力較強的選擇元件（矽基板上的MOS晶體管和二極管）。其結果，就難以縮小存儲器單元的面積，而且難以提高寫入時的並行性。

　　為了解決這些課題，日立製作所此次試制了選擇元件利用多晶矽MOS晶體管的PCM，並已證實其可進行置位和復位操作。存儲部分在水平狀的多晶矽通道上，形成了水平狀的薄型相變材料。採用該構造，可將復位電流降低至45μA。由此，可以提高寫入時的並行性。估計復位時間可以達到30ns左右，由此可以實現GB/秒級的寫入速率。加之，採用多晶矽MOS晶體管，可以為存儲器單元的三維積層開闢道路。由此能降低bit成本。據日立製作所介紹，此次提出的構造可實現無需接點的簡潔型存儲器單元構造，因此能將單層的物理存儲器單元面積降至4F2，而且還可以減少工序數。

　　日立製作所此次公開了以下數據：擦寫次數最高為100次，置位狀態和復位狀態的電阻值沒有太大變化。日立製作所表示，“儘管此次公開的擦寫次數為100次，但100次並不是元件擦寫次數的極限”。