受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange（全球半導體觀察）表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續強勁成長態勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
供應持續吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態
由於今年中國品牌智能手機表現超乎預期，服務器出貨也受惠於中國大陸數據中心需求增溫，下半年台系服務器代工廠訂單較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式內存與服務器內存的產出並調降標準型內存出貨。DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季行動式內存出貨比重將逼近45%，服務器內存出貨比重突破25%，標準型內存僅剩不到20%。
然而，從筆電市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季增長皆超過8%，造成標準型內存供應緊俏，DDR3與DDR4的4GB模組合約價格終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的行動式內存的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型內存價格將持續上漲，DDR3與DDR4的4GB模組將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15%，整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來一年都將維持健康的供需狀態。
行動式內存則持續受惠於中國智能手機的拉貨需求及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大陸大廠與主要DRAM供貨商訂定的第四季合約漲價超過一成，預期第四季行動式內存漲幅也將相當可觀。
大廠積極搶料，第四季NAND Flash價格維持上漲
在NAND Flash方面，第三季蘋果與中國智能手機大廠華為、vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D - NAND Flash速度不如預期情況下，供給更為緊俏。此外，企業級固態硬盤需求、筆電固態硬盤搭載率快速提升，同步造成第三季NAND產能缺口。
受到上述OEM端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、閃迪、美光等供貨商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流128Gb TLC wafer合約均價已較6月底漲10%以上。
第四季OEM端客戶在不看好非三星陣營3D - NAND Flash的轉進進度，擔心導致供應吃緊的預期心理下，已經出現Overbooking與Double Booking的搶料動作。DRAMeXchange預估，在智能型手機客戶拉貨力道持續不墜下，供貨短缺情況料將延續，第四季NAND Flash價格仍維持上漲，而模組廠是否願大量備貨成為價格漲幅多寡的關鍵。
資料來源:TrendForce
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