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甫於8月底公布JESD209-4第四代低功耗雙資料速率(LPDDR4)行動記憶體標準(參考連結)的JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association)，近日又發佈了新版 3D 架構行動記憶體規格 Wide I/O 2 標準 JESD229-2 ，新標準同樣是為了因應行動運算裝置對記憶體速度與效能的需求。
新標準保留了以矽穿孔(TSV)技術垂直堆疊的Wide I/O形式，但速度明顯提升(四倍)，在電源方面也有改變；具體說來，新的Wide I/O 2標準支援1.1V電源、最高68GB/s記憶體頻寬，鎖定智慧型手機、平板裝置以及遊戲機等應用。市場預期Wide I/O 2以及LPDDR4兩項新標準，將支援行動記憶體供應商同時提供水平與垂直(即3D)架構解決方案選項。

Wide I/O 2的重點規格包括：

˙通道數──4與8；

˙記憶體區塊(bank)數──每晶片32個；

˙記憶容量──8Gb~32Gb；

˙分頁大小(Page size)──4KB (4通道晶片)、2KB (8通道晶片)；

˙晶片最大頻寬──34GB/s (4通道晶片)、68GB/s (8通道晶片)；

˙最大I/O速度：分為1066 Mbit/s、800 Mbit、與1066 Mbit/s三類；

˙操作電壓──1.1V。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： JEDEC Releases Wide I/O 2 Mobile DRAM Standard，by Janine Love)

資料來源:電子工程專輯