比利時微電子研究中心 IMEC 宣佈，將與 Nantero 公司合作開發臨界尺寸小於20nm的碳奈米管非揮發性記憶體。
IMEC 一直積極研究基於金屬氧化物的電阻式 RAM ，該組織希望能成功研發出碳奈米管(carbon nanotube, CNT)記憶體，以作為 DRAM 的替代產品。
位在美國麻薩諸塞州的 Nantero 公司早在2000年就開發出碳奈米管(CNT)記憶體，稱之為 NRAM 。過去十年以來，該公司取得了顯著進展，在 Nantero 的網站上，該公司聲稱 NRAM 很快就會在密度方面超越 DRAM ，並在功耗方面贏過 DRAM 或快閃記憶體，甚至可取代可攜式產品中使用的快閃記憶體。
每一個CNT尺寸都是奈米級，長度則可達到毫米級。然而， Nantero 開發了一種非編織狀基質(non-woven matrix)的 CNT，並將之沉積在包含底部單元選擇元件和陣列線的基板上。
2006年，該公司宣佈已成功製造和測試了22nm記憶體開關。為開發下一代高密度記憶體技術， IMEC 同意支援 Nantero 製造、測試和特徵化NRAM陣列。
“在檢視 Nantero 的發展計劃及該公司與製造夥伴的進展後，我們認為，針對下一代高度可擴展的記憶體，這種基於CNT的非揮發性記憶體擁有極具吸引力的特性，”IMEC CEO Luc Van den hove表示。
Nantero 已在 CMOS 生產環境中製造出高良率的4Mb NRAM 陣列，該元件有幾項重要性能優勢：寫入速度3ns；幾乎是無限的資料保存能力－－截至目前為止，經測試後已超越10^12個週期；另外還包括更低的工作功耗，以及在高溫下仍具備良好的資料保存性能，IMEC表示。
“Nantero和IMEC的合作將能開發出能滿足未來對terabit級記憶體陣列以及超高速Gigabit等級非揮發性快取記憶體應用需求的20nm以下記憶體技術，”IMEC技術長Jo de Boeck表示。“如果我們能進一步證明其耐用性和速度等規範，NRAM甚至可作為DRAM的替代選項，進而讓我們跨越18nm的微縮極限。”
Nantero 公司共同創辦人兼CEO Greg Schmergel 表示，該公司正在和全球領先的製造商以及IMEC合作，希望能儘快在市場上推出新的碳奈米管記憶體。
編譯： Joy Teng
(參考原文：IMEC backs carbon nanotube memory，by Peter Clarke)
資料來源:電子工程專輯
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