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韓國三星電子宣布，該公司面向智能手機和平板終端等移動產品，開發出了數據傳輸速度提高至12.8GB /秒的5Xnm工藝 1GbitDRAM。此次開發的記憶體將在“2011年IEEE國際固態電路大會（ISSCC，國際固態電子電路大會）“（2011年2月20〜24日，美國舊金山）上發布。三星表示，今後計劃以此次開發的技術為基礎，從開發階段開始就與主要客戶合作，2013年開始供應提高了數據傳輸速度的2Xnm工藝 4Gbit的移動 DRAM芯片。

近年來，三星一直在致力於高速低功耗移動 DRAM的的開發。在此次的發布中，該公司引用了美國電子供應公司的預測 - 2014年移動內存在全球DRAM的市場上所佔的比例將從2010年的11.1％增至16.5％，並介紹了移動內存的市場潛力。另外，該公司還宣布，近年來開發出了多款移動 DRAM的，例如和4Gbit的1Gb容量的LPDDR2（低功耗DDR2）內存等。該公司高級副總裁，存儲產品規劃與應用工程師 Byungse因此表示，“利用此次的DRAM的技術有助於用戶開發高性能的綠色移動產品。今後將繼續開發用於移動產品的存儲產品。”

此次開發的技術也遵循了這種移動 DRAM的開發的趨勢。此次，將輸入輸出引腳數較原來的移動內存的最大32個引腳增加了16倍至512引腳。據三星介紹，再加上發送命令和調整電源使用的引腳，此次開發的內存按照可支持約 1200引腳進行設計。通過這些舉措，此次開發的內存的數據傳輸速度與已有移動內存的1.6GB /秒相比提高了8倍，與 LPDDR2的DRAM的達 3.2GB /秒相比提高了4倍。另外，耗電量也削減了約 87％。