隨著可攜式3C產品小體積大容量的需求日益增加，快閃記憶體是目前市場成長最快的半導體元件，然而以現有製程技術量產之快閃記憶體容量卻將瀕臨發展極限。今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球，開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍。此新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在1平方公分面積內儲存1個圖書館的文字資料，且可再藉立體堆疊設計進一步提昇其容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性。此成果已在12月8日於美國舊金山舉行的電子元件最重要的國際會議IEDM正式發表，引起國際微電子產學研界的高度重視，更被大會選為重點宣傳論文之一，並被其他國外電子領域專業協會IEEE與、Low Power Engineering Community與日本經濟新聞(BP)列為重要報導。
國研院奈米元件實驗室所開發的「9奈米超節能記憶體」是由何家驊博士帶領的研究團隊，以操控氧原子近距離移動的創新技術，改變元件記憶資訊而完成。此技術可大幅簡化製程步驟與成本，達成數奈米尺寸的記憶體元件，並大幅降低其耗電量。此一進展一舉突破開發10 奈米以下記憶體的技術瓶頸，使台灣的奈米元件技術向前邁進一大步。
國研院奈米元件實驗室主任楊富量指出此技術預計將在5~10年內進入量產，屆時將對兆元產值的全球記憶體市場產生重大貢獻。國家奈米元件實驗室將在明年與產學研界共同成立「16-8奈米元件聯盟」，以其近年來所開發的奈米技術為基礎，提供台灣產學研界的研發平台，來加速CMOS元件與記憶體元件的技術開發並厚植台灣半導體科技的人才基礎。
「9奈米超節能記憶體技術發表會」左起國家奈米元件實驗室何家驊博士、吳重雨校長(新任奈米國家型計畫總主持人)、國家實驗研究院陳文華院長。
「9奈米超節能記憶體技術發表會」：左起吳重雨校長(新任奈米國家型計畫總主持人)、國家奈米元件實驗室何家驊博士、國家實驗研究院陳文華院長、國家奈米元件實驗室楊富量主任。
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