西部數據宣布其已開始生產業內最密集的3D NAND閃存芯片，堆疊達到了64層。每單元存數比特位數也從2增加到了3（就是從MLC變成了TLC）。西數及其合作夥伴東芝將其“垂直3D堆疊技術”稱作Bit Cost Scaling（簡稱BiCS）。
其生產過程類似摩天樓的建造過程，一層一層地堆疊至64層，在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，使得每Gb的成本效益更加明顯。此外，這項技術還增加了數據可靠性、以及固態存儲是速度。
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制，是大勢所趨。
Source:WD
全站熱搜
留言列表
生技醫療產業 (1)