3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)競爭越來越激烈,東芝(Toshiba)於去年7月宣布領先全球同業開始提供堆疊64層的256Gb(32GB)3D Flash的樣品出貨,之後三星於去年8月宣布,堆疊64層的3D Flash產品將在2016年Q4(10-12月)開賣。

而現在又換東芝出手,宣布容量提高1倍的64層512Gb(64GB)3D Flash已進行送樣、且將在今年下半年量產。東芝22日發布新聞稿宣布,採用堆疊64層製程技術的512Gb(64GB)3D Flash已於2月上旬進行樣品出貨,且預計將在2017年下半年進行量產,主要用於搶攻數據中心/PC用SSD等市場。

另外,堆疊16片512Gb晶片、實現業界最大容量1TB的產品預計將在今年4月進行樣品出貨東芝表示,和48層256Gb產品相比,64層512Gb產品每單位面積的記憶容量擴大至約1.65倍,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加、每bit成本也下滑。

產經新聞報導,據東芝指出,東芝是全球第一家提供64層512Gb 3D Flash樣品的廠商;東芝已於今年1月量產64層256Gb 3D Flash產品。

報導指出,東芝推出512Gb產品,就是要用來對抗三星等競爭對手,而南韓SK Hynix則計畫在今年下半年量產72層產品,研發競爭益發激烈。東芝為全球第2大NAND Flash廠,而東芝以NAND Flash為主軸的記憶體事業(含SSD事業、不含影像感測器)將在2017年3月31日分拆出去、成立一家半導體新公司,且東芝計畫出售半導體新公司股權、籌措資金,而據悉鴻海(2317)、台積電(2330)、蘋果(Apple)皆有意參與競標。

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