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根據SanDisk公司，記憶體製造商預計要到開始製造 3D 可變電阻式記憶體(ReRAM) 之後，才會將超紫外光(EUV)微影技術導入記憶體製造，而這一時間點至少是在2015年之後。
這是SanDisk公司行政執行副總裁兼財務長Judy Bruner日前在摩根士丹利(Morgan-Stanley)金融會議上針對一項提問的回覆。她受邀在該會議上發表SanDisk未來的記憶體架構轉型發展計劃。

由於SanDisk公司未來將採用垂直堆疊記憶體結構，但是否能免於受到延遲已久的 EUV 微影技術影響呢？Bruner說：「未來我們終究會使用到 EUV 技術，但首先面對的 3D NAND 或位元可變成本(BiCS)架構並不需要用到 EUV 。因此，在平面 NAND 之後，我們會先以 BiCS 作為過渡技術。」

Bruner接著表示，在邁向 3D NAND 結構以前，至少還將經歷兩次10nm以上的平面 NAND 製程節點。 1Y-nm節點 NAND (18-15nm)將在2013年下半年開始量產，接著1Z-nm節點 NAND (14-10nm)可望在2014年底至2015年時展開。而在那之後才會開始 3D NAND 的記憶體生產。

「我們預計將會過渡到 3D NAND 或 BiCS 結構，但並不需要因此而採用 EUV 。然而到了 3D ReRAM 時，則存在對於正開發中 EUV 的需求。所以真正會需要用到 EUV 進行生產，應該還有幾年的時間，」Bruner並強調，這一時間點至少要到2015年以後。

編譯：Susan Hong

(參考原文：SanDisk sees no EUV until ReRAM replaces flash，by Peter Clarke)