Cypress Semiconductor推出16-Mbit非揮發靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memories，nvSRAM)，包括支援同步式NAND快閃記憶體介面的元件。此系列產品為業界首款可直接連結開放式NAND快閃記憶體介面(ONFI)與Toggle NAND匯流排控制器之nvSRAM代表。16-Mbit系列更進一步擴充Cypress nvSRAM的產品系列，以滿足企業系統、高階可編程邏輯控制器 (Programmable Logic Controllers，PLC)、儲存設備的高速資料與錯誤記錄器，以及網路設備對固態硬碟 (Solid State Drives，SSD) 的需求。
16-Mbit nvSRAM的存取時間僅有25 奈秒，為市面上最快的非同步、非揮發RAM。新款元件並提供其他廠商解決方案均無支援的選擇性整合即時時脈 (RTC) 功能。RTC使系統能備份關鍵資料的時間戳記。Cypress的nvSRAM更支援無限讀取、寫入、以及回存次數，資料保存期長達20年，使它們成為許多應用的最佳解決方案，包括要求持續高速寫入資料與要求非揮發儲存資料絕對安全的應用。更多Cypress nvSRAM產品相關訊息，請瀏覽www.cypress.com/go/nvsram。
Cypress公司非揮發產品事業部副總裁Babak Taheri表示：「新款16-Mbit系列元件在提升速度、密度與效能標竿的同時，亦維持nvSRAM系列產品一貫的優異可靠度。同步式NAND介面為Cypress的nvSRAM打開許多新市場，並為整體非揮發元件增添廣度與彈性。」
ONFI NAND 介面的nvSRAM支援ONFI 3.0 NV-DDR 介面(100MHz)以及ONFI 3.0 NV-DDR2介面(200MHz)。Toggle NAND介面的nvSRAM則相容於Toggle 2.0 NAND 控制器，並支援200MHz的DDR運作。
ONFI和Toggle均能支援單通道運作的x8與x16位元資料匯流排組態，以及支援雙通道與四通道運作的x8位元資料匯流排組態，每秒能執行高達4億次交易。
16-Mbit nvSRAM系列現已開始送樣，並預計在2013年第1季量產。CY14V116Fx ONFI 與Toggle NAND元件核心電壓為3伏特，IO電路電壓為1.8伏特，且均採用165-ball FBGA封裝。兩款非同步元件不論有無包含RTC，均提供8位元、16位元與32位元的資料匯流排，以及支援2.5V、3V與5V不同的電壓。且新款元件提供44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、以及165-ball FBGA封裝。
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