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聯電(UMC)稍早前宣佈，與 IBM 達成協議，將加快其 20nm 製程及 FinFET 3D 電晶體的發展，而此舉也很可能讓聯電成為唯一一家在 20nm 節點提供 FinFET 元件的純晶圓代工廠。
聯電正在努力扭轉局面。近年來，聯電和主要競爭對手台積電(TSMC)的技術差距不斷拉大，而Globalfoundries不久前也宣佈銷售額超越聯電，將聯電擠到了晶圓代工排名第三位。

台積電 (TSMC) 和 Globalfoundries 都可算在2014或2015年時，於 14nm 節點導入3D FinFET元件。部份先進代工客戶如 Nvidia 則表示，他們希望代工廠能更快提供FinFET。因而部份業界人士猜測，台積電和GlobalFoundries很可能會改變他們的發展藍圖，提前納入FinFET。

Globalfoundries 發言人表示，該公司已經完成了完全耗盡型絕緣層上覆矽(SOI)技術的評估，預計2013年便可提供給客戶使用，而早期採用的客戶將可獲得該技術提供的性能優勢。“我們和領先客戶密切合作，以確保這項技術在成本、易於設計、微縮等方面都是最佳化的解決方案。”

英特爾(Intel)已開始在22nm節點量產採用其FinFET元件(或稱三閘極電晶體, tri-gate)的晶片。目前，許多領先的無晶圓廠公司們，都希望藉由該技術來改善功耗。(英特爾已公開表示該公司正在為少數幾家規模較小的公司使用其22nm 3D技術生產晶片。但也有傳言指出，英特爾也正與其他數家公司就代工業務展開合作，其中還包括一些重量級的無晶圓廠晶片業者)。

在20nm節點納入FinFET將使聯電在標準平面20nm製外，也有能力提供20nm製程的低功耗版本。無論是台積電或Globalfoundries，都計劃提供低功耗20nm製程。今年四月，台積電執行副總暨共同營運長蔣尚義曾表示，20nm的關鍵尺寸幾乎沒有足夠空間來為不同閘極長度調整設計規則，並提供不同版本的20nm製程了。

如果聯電能及時提供 20nm FinFET 低功耗製程，就能與對手做出重大區隔。而這或許也是該公司奪回近年來不斷被競爭對手所搶占市場的關鍵所在。

每個人都知道，功耗是晶片製造商和電子產業中幾乎個一個人最關心的議題。若聯電能在競爭對手都還沒準備好時，就提供低功耗20nm FinFET製程，這對業界會是多麼大的震撼？

英特爾負責製程技術研發的資深院士Mark Bohr對今年四月《EE Times》報導台積電表示或許不打算提供低功耗20nm製程的報導所做出的反應，是認為晶片代工模式即將「崩潰」。Bohr的看法可能過於偏激了。但他的出發點在於像美國高通這類無晶圓廠晶片業者，都會需要能盡可能降低晶片供耗的製程。

當然，目前有關聯電的20nm FinFET仍然只是一個計劃。即使獲得IBM的技術，卻也無法保證新製程的開發會一帆風順。而聯電本身也尚未對客戶提供任何有關該技術的時間表。

然而，若一切依計劃進行，則此舉將大幅強化聯電在代工領域的競爭力。

編譯： Joy Teng

(參考原文： UMC looks for boost with IBM license deal ，by Dylan McGrath)