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應用材料公司推出先進的蝕刻技術 ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統，這項突破性的系統是解決建立3D記憶體架構的嚴峻挑戰；3D記憶體架構可提供高密度兆位元儲存容量，為未來資料密集型行動裝置所必需。

應用材料公司副總裁暨蝕刻事業群總經理琶布．若傑(Prabu Raja)博士表示：「3D記憶體結構必須在複雜的多層材料堆疊中進行深度的特徵結構蝕刻，Avatar系統利用我們在電漿領域的領導技術，解決3D記憶體結構的製程挑戰。客戶對於新系統的突破性功能非常感興趣，我們已售出超過30組系統給多家客戶，用於各項重要應用，其中包括未來記憶體晶片的試產。」

Avatar系統為全新設計，可在3D NAND記憶體陣列進行既深且窄的蝕刻，這些3D陣列是令人振奮的新型快閃記憶體裝置，有多達64層垂直建立的記憶單元，可在小面積內建立極高的位元密度。

Avatar系統可在複合薄膜堆疊層中進行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達80:1，以形狀比例來形容的話，美國華盛頓紀念碑的深寬比是10:1高(台北101大樓約9:1)。此外，該系統是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差極大的特徵結構功能的系統，對於製造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結構非常重要。

在7月10日到12日的美西國際半導體展2012展期間，應用材料公司將展出Avatar系統等數種全新晶片製造技術。