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適逢在台灣舉行的國際半導體展SEMICON Taiwan，陶氏化學公司旗下之陶氏電子材料發表其最新產品：化學機械研磨 (CMP)銅製程。全新製程結合陶氏化學獨家 RL3100無研磨粒、自停 (self-stopping) 機制，以及VisionPad 5000 研磨墊，提供CMP銅製程高效能、低成本的解決方案。

「根據摩爾定律，半導體元件微縮需要全新的CMP製程方案，以因應主要的製造挑戰。」陶氏電子材料 CMP 研磨液研發總監余維中博士表示。「我們的研究與應用團隊直接與客戶合作，確保本公司的 CMP 解決方案，符合 IC 製造商對下一世代元件的需求。這一全新無研磨粒CMP製程是以此需求為發展基礎。由於其所提供顯著的製程優勢及成本效益，而引起業界很大的關注。」

陶氏的 RL3100 + VisionPad 5000 研磨墊CMP銅製程具有以下技術優勢:
• 在不同的線寬與線譜密度下，均可產生low-dishing 及no-erosion的顯著優勢
• 高銅研磨速率(high Cu rate) 、晶圓表面銅的清除能力(clearing)、更具有對於阻絕層(barrier films)與介電層(dielectric films)的極高選擇比
• 高良率、嚴格的Rs控制、高產能、以及寬大的製程窗口

其他含有研磨粒的研磨液，一般會形成erosion或刮痕(scratching) ， RL3100獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達成更高的良率。此外RL3100的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊conditioning的減低，進而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100提供低成本的解決方案。

經實際生產測試，陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲 90–45 奈米 300mm 高產量製造商採用超過三年。同時，此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的 IDM（整合元件廠）選為 14 奈米節點的記錄製程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28 奈米的TSV製程。