晶圓代工業者Globalfoundries宣佈，接續22FDX製程的新一代全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon on insulator，FD-SOI)製程已經接近量產，同時宣佈EDA與IP供應商益華電腦(Cadence)與新思(Synopsys)都是FD-SOI技術開發生態系統FDFDXelerator專案的合作夥伴。
FD-SOI製程被視為大廠英特爾(Intel)與台積電(TSMC)所擁護之FinFET製程技術以外的另一種選項；原始的絕緣上覆矽(SOI)技術研發主要是由IBM所主導，之後又由意法半導體(STMicroelectronics)進一步發揚光大。
現在三星(Samsung)與Globalfoundries各自在28奈米以及22奈米節點量產FD-SOI製程；這些公司宣稱，雖然FD-SOI製程在一開始需要採用處理成本更高昂的晶圓片，但能從低電壓、低功耗到高性能等方面提供具擴充性的優勢。
新一代12FDX製程顧名思義可達到12奈米精細度，實現行動運算、5G通訊、人工智慧以及自動駕駛車輛等應用。而值得注意的是，意法半導體最近錯失了來自長期夥伴Mobileye的設計訂單，後者別抱10奈米FinFET製程(http://www.analog-eetimes.com/news/mobileye-rejects-fdsoi-eyeq-chip)。
Globalfoundries負責開發FD-SOI製程的德勒斯登(Dresden)晶圓廠總經理Rutger Wijburg 表示，12FDX製程性能升級，並免除了對三重或四重圖形(patterning)與極紫外光微影(EUV)的需要：「如果你看到反偏壓(back-bias) 22FDX製程的性能媲美甚至超越16/14奈米FinFET製程，12FDX製程搭配反偏壓，你會看到比10奈米FinFET製程更好的表現。」
簡而言之，12FDX號稱可提供與10奈米FinFET製程相當的性能，但是功耗表現更好，成本也比16奈米FinFET低。12FDX製程的客戶投片時程預計在2019上半年。
Globalfoundries在宣佈12FDX製程接近量產的同時，也宣佈能簡化將設計從40奈米或28奈米平面CMOS製程轉移到22FDX的FDXcelerator專案；該專案的合作夥伴已經承諾將提供EDA工具，藉由將特定功能區塊添加到產業界領導設計流程，輕鬆利用FD-SOI製程的基體偏壓(body-bias)差異化功能。
那些功能區塊包括各種基礎性、介面或複雜IP，FDXcelerator合作夥伴將提供參考設計解決方案、設計諮詢與服務，還有產品封裝、測試解決方案。該專案的創始夥伴包括Synopsys、Cadence、Invecas、Verisilicon、CEA-Leti與Encore Semiconductor。
編譯：Judith Cheng
(參考原文： Globalfoundries Preps 12nm FDSOI Process，by Peter Clarke)
資料來源:電子工程專輯
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