加利福尼亞州利弗莫爾，2011年8月9日--作為LED照明技術和解決方案領域領先的開發商和製造商，普瑞光電公司打破了其先前的“氮化鎵上矽”（GaN- On-Silicon）每瓦最高流明值行業記錄。其利用自身專利“緩衝層工藝”,已證明無裂紋氮化鎵襯層能在8英寸矽晶圓上生長，不受室溫影響情況，從而延伸了其在強化矽片氮化鎵LED的性能及可製造性方面的領導地位。
普瑞光電正在演示可與當今最先進的藍寶石基LED相媲美的LED性能水平。基於氮化鎵上矽的冷白光LED在色溫為4350K時效率高達160流明/瓦，暖白光LED在色溫2940K和CRI 80時可提供125流明/瓦的效率。
傳統LED採用藍寶石或碳化矽基片作為原始材料製作而成，但這兩者都比矽更昂貴。因此，昂貴的成本導致LED照明產品無法普及到住宅和商業建築等領域。然而，若能在直徑更大、成本更低廉的矽晶圓上生長氮化鎵，並採用與現代半導體生產線相兼容的製程，則產品成本會比現有製程降低75%.普瑞光電的工藝技術在未來可顯著降低製造LED的成本，使其可與傳統的白光照明技術一爭高下。
普瑞公司首席技術官Steve Lester博士表示：“我們今天公佈的性能水平是至今為止公開發布的最高氮化鎵上矽流明/瓦效率，足以媲美藍寶石或碳化矽（SiC）基片的頂級商業LED .這些成就直接得益於我們在以下方面的大力投入，即努力打造一個由普瑞光電材料科學家和芯片設計工程師組成的世界級團隊，及重點推動業界領先的外延工藝技術。我們很滿意在這一領域的進展步伐，而且將繼續積極發展我們的氮化鎵上矽製程，以推動LED商業化生產從藍寶石轉移到矽片。我們首個商用氮化鎵上矽產品按計劃在未來兩年內可交付市場。”
氮化鎵的熱膨脹係數比矽要大的多。這種不匹配會導致在外延生長期間或在室溫下外延膜破裂，或晶圓受彎曲。普瑞光電專有的緩衝層製程產生的無裂紋晶圓在室溫下幾乎保持平坦。
密封的1.5毫米藍色LED採用350mA電流，達成591mW流明，插頭效率高達59%,比以往發布的任何數值都高。 LED具有極低的正向電壓，在350mA電流時僅為2.85V,使它們成為在高電流密度下使用的理想選擇。在1安培驅動電流上，LED在3.21V正向電壓下發射1.52瓦藍色電力，產生47%的插頭效率。 Sigma 6.8納米的波長均勻度已在中值波長為455納米的8英寸LED晶圓得到驗證。
普瑞光電公司首席執行官Bill Watkins表示：“這個新的技術突破是普瑞光電持續研發投資與重點關注固態照明市場需求相結合的直接產物。這項關鍵創新是行業的遊戲變革者，它大幅降低了固態照明所需的前期資本投資，從而大大提高了市場採用率。普瑞光電延續輕資產運營模式，其獨特定位可更好地受益於LED向矽片的過渡。利用我們在LED外延的研發和知識產權地位，普瑞光電可與現有的半導體製造商建立合作夥伴關係。通過與成熟的半導體製造商建立的合作夥伴關係充分利用現有的半導體晶圓廠，對生產成本、利潤和投資回報產生積極影響。”
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