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三星電子(Samsung Electronics)克服在次世代半導體電阻式非揮發性記憶體(RRAM)商用化過程中遭遇的困難，成功開發出電流控制技術。該技術開發完成後，將可刻劃出5~10年內智慧型手機(Smartphone)等產品的微細化，或是開發可穿著的電腦等未來新產品藍圖。

三星日前表示， RRAM為DRAM和NAND Flash之後的次世代記憶體晶片，三星已透過適當調節導電通路的方式，開發出可強化記憶體資訊處理速度和耐久性，並高容量化的技術。本次開發的RRAM技術寫入跟刪除速度，較既有NAND Flash快100萬倍，可反覆1兆次。

三星使用Ta2O5薄膜電容作為RRAM的電阻變化物質，Ta2O5的氧含量將會分向其他2層，只有其中1層分布傳導電流的絲狀(filament)導電通路。

三星因研發出可控制導電通路分布的RRAM新技術，該產品較過去產品性能更好，並確保其耐久性，另一方面也降低電流量。

此外，RRAM的構造改變，為不需要額外使用電晶體，且可增加記憶體容量。舊型RRAM需要各增加1個電晶體和暫存器(register)。

三星本次的研究成果，在英國發行的學術雜誌Nature Materials網路版上刊出，標題為「Ta2O5非對稱2重層面構造轉換，呈現出高耐久性、高容量RRAM」。