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NAND Flash市場在智慧型手機及平板電腦需求熱絡推波助瀾下，2011年聲勢再度攀上頂峰，然因4月傳統淡季襲擊，終端需求意外從雲端摔落，並反映在記憶體模組廠4月營收表現上。記憶體業者表示，由於日本311大地震發生後，下游廠商備太多貨，遇上第2季需求突然降溫，使得NAND Flash相關業者4月營收都受到波及，下滑幅度分別達10~20％。

記憶體廠指出，目前NAND Flash市場主要區分為2大塊，第1塊是傳統快閃記憶卡和隨身碟市場，從2011年初以來，這塊市場需求急速降溫，成為模組廠失去營收成長動力預警，儘管日本311強震之後，由於下游通路商擔心NAND Flash晶片斷貨，遂出現一波追價補貨潮，但很快便恢復平靜。

NAND Flash第2塊市場則是近期由智慧型手機和平板電腦所延伸出來的固態硬碟(SSD)和eMMC等內嵌式記憶體需求，需求熱度較傳統記憶卡市場好太多，不過，由於蘋果(Apple)之外的平板電腦後勢不明，加上日本限電對於產業鏈形成影響，亦讓SSD和eMMC近期需求有點踩煞車情況。

模組廠表示，進入第2季傳統淡季之後，由於終端市場需求大幅降溫，加上之前日本大地震後，下游通路商一下子備太多貨，導致目前市場還處於消化庫存階段，影響各家業者第2季業績，包括群聯、創見、威剛等模組廠4月營收都有10~20%跌幅，但只要NAND Flash報價不要出現急跌，廠商仍可守住毛利率，靜待淡季效應過去。

記憶體廠認為，NAND Flash應用由外接轉向內建後，模組廠在傳統記憶卡戰場成長力道逐漸流失，然上游NAND Flash大廠藉由SSD東山再起，以及eMMC等內嵌式記憶體需求崛起，近期擴產動作顯得氣勢如虹，包括三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等廠商都有擴產計畫，沒有業者缺席。

其中，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(bit growth)將分別超過80%和100%，三星興建Line-16生產線，亦將以投產NAND Flash為首要目標，預計2011年下半將貢獻產出，未來三星在半導體產業投資將以NAND Flash為主。海力士雖沒有蓋新廠，但亦持續擴充既有M11廠產能，第1季M11廠每月產能已拉升至10萬片，較預定目標時程提前約1季。

英特爾和美光亦在4月共同宣布啟動新加坡12吋晶圓廠，原本美光已在2010年底動工，英特爾則是後來宣布加入，亦讓業界不再懷疑英特爾投資NAND Flash產業的決心，預計新加坡廠會是未來英特爾和美光NAND Flash產能主要成長動力來源。
至於東芝與新帝在日本四日市的新12吋晶圓廠Fab 5，亦早在2010年中率先宣布啟動，繼續與三星纏鬥NAND Flash龍頭寶座。

記憶體業者指出，上游4大NAND Flash陣營積極擴產，主要是看好智慧型手機和平板電腦需求後勢，若這2大應用領域成長能如預期強勁，廠商並不擔心供給會壓過需求，因為長期來看，供給和需求都是同步往上攀升。