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全球4大NAND Flash陣營都有擴產計畫，其中三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)、英特爾(Intel)都有擴建新12吋晶圓廠計畫，海力士(Hynix)則是擴建既有廠房的產能。

根據市調機構TrendForce統計，2011年第1季NAND Flash大廠牌名中，三星市佔率達36.2%，其次是東芝以35.1%緊追在後，兩者相距再度拉近，而美光也持續以11.4%位居全球第3，海力士則以市佔率10.7%位居全球第4，英特爾以6.6%為全球第5。

三星2010年已宣布擴增Line-16產能的計畫，此新12吋晶圓廠會優先以NAND Flash產能投產，預計2011年三星NAND Flash產能的位元成長率(Bit Growth)將超過80%；海力士也有提前擴建M11廠的產能。

東芝和新帝也已宣布要蓋新12吋晶圓廠Fab 5，預計下半年可貢獻營運；美光更是等不及英特爾點頭，在2010年底獨自啟動新加坡12吋晶圓廠，2011年4月英特爾決定加入擴產計畫，雙方歡歡喜喜宣布攜手投資。

4大NAND Flash陣營都加入擴產計畫，主要是看好智慧型手機(Smartphone)和平板電腦(Tablet PC)需求後勢可期，所內建的記憶體容量也都大幅增加，加上工業用、軍事用等NAND Flash需求成熟，因此讓各大廠都願意大力擴產。